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首页 全部分类 EDB1332BDBH-1DAAT-F-D vs IS43TR16640A-15GBL

EDB1332BDBH-1DAAT-F-D备选型号: IS43TR16640A-15GBL

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  • 端子表面处理
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  • 端子位置
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  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
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  • 访问模式
  • 长度
  • 座位高度(最大)
  • RoHS状态
  • 表面安装
  • Current - Supply (Nom)
  • ECCN 代码
  • HTS代码
  • 资历状况
  • 时钟频率
  • 访问时间
  • 输出特性
  • 写入周期时间 - 字符、页面
  • 待机电流-最大值
  • I/O类型
  • 刷新周期
  • 顺序突发长度
  • 交错突发长度
  • Micron Technology Inc.
    EDB1332BDBH-1DAAT-F-D
    Micron Technology Inc.
    DRAM Chip LPDDR2 SDRAM 1G-Bit 32Mx32 1.2V 134-Pin FBGA Dry Pack
    12 Weeks
    Copper, Silver, Tin
    表面贴装
    表面贴装
    134-VFBGA
    134
    Volatile
    -40°C~105°C TC
    Bulk
    2016
    e1
    最后一次购买
    3 (168 Hours)
    134
    Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)
    SELF REFRESH; IT ALSO REQUIRES 1.8V NOM
    1.2V
    BOTTOM
    260
    1
    0.65mm
    30
    1Gb 32M x 32
    1
    SYNCHRONOUS
    DRAM
    Parallel
    32b
    32MX32
    32
    13b
    1 Gb
    533MHz
    1.3V
    1.14V
    多库页面突发
    11.5mm
    1mm
    ROHS3 Compliant
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
    IS43TR16640A-15GBL
    ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
    DRAM 1G, 1.5V, (64M x 16) 1300Mhz DDR3 SDRAM
    -
    -
    -
    表面贴装
    96-TFBGA
    96
    Volatile
    0°C~95°C TC
    Tray
    -
    e1
    Discontinued
    3 (168 Hours)
    96
    Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)
    AUTO SELF REFRESH MODE, ALSO OPERATES AT 1.35 V NOMINAL SUPPLY
    1.5V
    BOTTOM
    260
    1
    0.8mm
    10
    1Gb 64M x 16
    1
    SYNCHRONOUS
    DRAM
    Parallel
    16b
    64MX16
    16
    16b
    1 Gb
    -
    1.575V
    1.425V
    -
    13mm
    1.2mm
    ROHS3 Compliant
    YES
    190mA
    EAR99
    8542.32.00.32
    不合格
    667MHz
    20ns
    3-STATE
    15ns
    0.015A
    COMMON
    8192
    48
    48
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