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首页 全部分类 EFC6602R-TR vs IRLTS2242TRPBF

EFC6602R-TR备选型号: IRLTS2242TRPBF

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  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
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  • 漏源电压 (Vdss)
  • Vgs（最大值）
  • 下降时间（典型值）
  • 连续放电电流(ID)
  • 阈值电压
  • 漏源击穿电压
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 达到SVHC
  • 辐射硬化
  • ON Semiconductor
    EFC6602R-TR
    ON Semiconductor
    Trans MOSFET N-CH 6-Pin EFCP T/R
    ACTIVE, NOT REC (Last Updated: 1 week ago)
    6 Weeks
    表面贴装
    6-XFBGA, FCBGA
    6
    2
    150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    2013
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    EAR99
    2W
    6
    Dual
    2W
    2 N-Channel (Dual)
    无卤素
    55nC @ 4.5V
    12V
    Logic Level Gate, 2.5V Drive
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    IRLTS2242TRPBF
    Infineon Technologies
    MOSFET P-CH 20V 6.9A 6TSOP
    -
    12 Weeks
    表面贴装
    SOT-23-6
    6
    6.9A Ta
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    2009
    -
    活跃
    1 (Unlimited)
    EAR99
    -
    -
    Single
    2W
    P-Channel
    -
    12nC @ 4.5V
    12V
    -
    ROHS3 Compliant
    无铅
    Tin
    表面贴装
    SILICON
    HEXFET®
    6
    55MOhm
    DUAL
    鸥翼
    增强型MOSFET
    5.8 ns
    SWITCHING
    32m Ω @ 6.9A, 4.5V
    1.1V @ 10μA
    905pF @ 10V
    18ns
    20V
    ±12V
    68 ns
    6.9A
    -400mV
    -20V
    55A
    1.3mm
    3mm
    1.75mm
    无SVHC
    无
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