Infineon Technologies IRLMS2002TRPBF

工厂交货时间

12 Weeks

触点镀层

Tin

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

SOT-23-6

引脚数

3

晶体管元件材料

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

6.5A Ta

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

2.5V 4.5V

Number of Elements

1

Power Dissipation (Max)

2W Ta

Turn Off Delay Time

36 ns

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

系列

HEXFET®

已出版

2005

JESD-609代码

e3

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

6

ECCN 代码

EAR99

电阻

300mOhm

附加功能

ULTRA-LOW RESISTANCE

电压 - 额定直流

20V

端子位置

DUAL

终端形式

鸥翼

额定电流

6.5A

JESD-30代码

R-PDSO-G6

元素配置

Single

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

2W

接通延迟时间

8.5 ns

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

30m Ω @ 6.5A, 4.5V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

1.2V @ 250μA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

1310pF @ 15V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

22nC @ 5V

上升时间

11ns

Vgs（最大值）

±12V

下降时间（典型值）

16 ns

连续放电电流(ID)

6.5A

阈值电压

1.2V

栅极至源极电压(Vgs)

12V

漏源击穿电压

20V

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

20A

栅源电压

1.2 V

高度

1.143mm

长度

2.9972mm

宽度

1.75mm

达到SVHC

无SVHC

辐射硬化

无

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

无铅