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EFC6611R-TF备选型号: ECH8695R-TL-W
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- 最大功率耗散
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- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- 场效应管类型
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 最大漏极电流 (Abs) (ID)
- 场效应管技术
- 场效应管特性
- RoHS状态
- 无铅
- 触点镀层
- 引脚数
- JESD-609代码
- Reach合规守则
- 通道数量
- 元素配置
- 接通延迟时间
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
- 上升时间
- 漏源电压 (Vdss)
- 下降时间（典型值）
- 连续放电电流(ID)
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 漏源击穿电压
- 高度
- 长度
- 宽度
MOSFET 2N-CH 12V 27A EFCPCONSULT SALES OFFICE (Last Updated: 6 days ago)7 Weeks表面贴装表面贴装6-SMD, No Lead150°C TJTape & Reel (TR)1998yes活跃1 (Unlimited)EAR992.5W未说明未说明2 N-Channel (Dual) Common Drain100nC @ 4.5V27AMETAL-OXIDE SEMICONDUCTORLogic Level Gate, 2.5V DriveROHS3 Compliant无铅-------------------
MOSFET 2N-CH 24V 11A SOT28ACTIVE (Last Updated: 2 days ago)6 Weeks表面贴装表面贴装8-SMD, Flat Lead150°C TJTape & Reel (TR)2013yes活跃1 (Unlimited)EAR991.4W未说明未说明2 N-Channel (Dual) Common Drain10nC @ 4.5V-METAL-OXIDE SEMICONDUCTORLogic Level Gate, 2.5V DriveROHS3 Compliant无铅Tin819.7 μse6not_compliant2Dual300 ns9.1m Ω @ 5A, 4.5V1.3V @ 1mA320ns24V22.3 μs11A12.5V24V900μm2.9mm2.3mm- 添加型号
| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
 | MCH3481-TL-W | ON Semiconductor | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | 3-SMD, Flat Lead | MOSFET N-CH 20V 2A MCPH3 | 对比 |
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