ON Semiconductor MCH3481-TL-W
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MCH3481-TL-W
1807-MCH3481-TL-W
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
3-SMD, Flat Lead
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MOSFET N-CH 20V 2A MCPH3
1最小包装量--
MCH3481-TL-W详情
ON Semiconductor MCH3481-TL-W重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
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生命周期状态
ACTIVE (Last Updated: 9 hours ago)
工厂交货时间
6 Weeks
底架
表面贴装
安装类型
表面贴装
包装/外壳
3-SMD, Flat Lead
引脚数
70
晶体管元件材料
SILICON
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃
2A Ta
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
1.2V 4.5V
Number of Elements
1
Power Dissipation (Max)
800mW Ta
Turn Off Delay Time
28 ns
操作温度
150°C TJ
包装
Cut Tape (CT)
已出版
2017
JESD-609代码
e6
无铅代码
yes
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
3
端子表面处理
Tin/Bismuth (Sn/Bi)
端子位置
DUAL
JESD-30代码
R-PDSO-F3
配置
SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
操作模式
增强型MOSFET
接通延迟时间
6.6 ns
场效应管类型
N-Channel
晶体管应用
SWITCHING
Rds On(Max)@Id,Vgs
104m Ω @ 1A, 4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
900mV @ 1mA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
175pF @ 10V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
2.9nC @ 4.5V
上升时间
27ns
漏源电压 (Vdss)
20V
Vgs(最大值)
±9V
下降时间(典型值)
19 ns
连续放电电流(ID)
2A
阈值电压
900mV
栅极至源极电压(Vgs)
9V
最大漏极电流 (Abs) (ID)
2A
漏极-源极导通最大电阻
0.104Ohm
DS 击穿电压-最小值
20V
达到SVHC
无SVHC
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
无铅
MCH3481-TL-W拓展信息
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