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首页 全部分类 EGP30C vs STTH302

EGP30C备选型号: STTH302

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  • ECCN 代码
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  • HTS代码
  • 电容量
  • 电压 - 额定直流
  • 终端形式
  • 额定电流
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  • 元素配置
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  • 二极管类型
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  • 输出电流
  • 不同 If 时电压 - 正向 (Vf)
  • 箱体转运
  • 工作温度 - 结点
  • 最大浪涌电流
  • 正向电压
  • 最大反向电压（DC）
  • 平均整流电流
  • 相位的数量
  • 反向恢复时间
  • 峰值反向电流
  • 最大重复反向电压(Vrrm)
  • 电容@Vr, F
  • 峰值非恢复性浪涌电流
  • 反向电压
  • 最大正向浪涌电流（Ifsm）
  • 恢复时间
  • 自然的热阻
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 触点镀层
  • 附加功能
  • 引脚数量
  • 正向电流
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 达到SVHC
  • ON Semiconductor
    EGP30C
    ON Semiconductor
    Rectifiers 3.0a Rectifier UF Recovery
    ACTIVE (Last Updated: 1 day ago)
    10 Weeks
    通孔
    通孔
    DO-201AD, Axial
    2
    360mg
    SILICON
    1
    Tape & Reel (TR)
    2016
    e3
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    2
    EAR99
    Tin (Sn)
    150°C
    -65°C
    EFFICIENCY
    8541.10.00.80
    95pF
    150V
    WIRE
    3A
    EGP30C
    Single
    Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
    Standard
    5μA @ 150V
    6.25W
    3A
    950mV @ 3A
    ISOLATED
    -65°C~150°C
    125A
    950mV
    150V
    3A
    1
    50 ns
    5μA
    150V
    95pF @ 4V 1MHz
    125A
    150V
    125A
    50 ns
    20 °C/W
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • STMicroelectronics
    STTH302
    STMicroelectronics
    DIODE GEN PURP 200V 3A DO201AD
    -
    8 Weeks
    通孔
    通孔
    DO-201AD, Axial
    2
    -
    SILICON
    1
    Tape & Box (TB)
    -
    e3
    -
    活跃
    1 (Unlimited)
    2
    EAR99
    -
    175°C
    -65°C
    EFFICIENCY
    8541.10.00.80
    -
    200V
    WIRE
    1A
    STTH30
    Single
    Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
    Standard
    3μA @ 200V
    -
    3A
    950mV @ 3A
    ISOLATED
    175°C Max
    130A
    950mV
    200V
    3A
    1
    35 ns
    3μA
    200V
    -
    130A
    200V
    130A
    35 ns
    -
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    Tin
    自由旋转二极管
    2
    3A
    5.3mm
    9.5mm
    5.3mm
    无SVHC
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