EKI06108备选型号: DMT6010SCT
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- 描述:
- 工厂交货时间
- 底架
- 安装类型
- 包装/外壳
- 晶体管元件材料
- 操作温度
- 包装
- 已出版
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- 端子位置
- 峰值回流焊温度(摄氏度)
- Reach合规守则
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- JESD-30代码
- 配置
- 操作模式
- 箱体转运
- 场效应管类型
- 晶体管应用
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 漏源电压 (Vdss)
- Vgs(最大值)
- 连续放电电流(ID)
- JEDEC-95代码
- 漏极-源极导通最大电阻
- 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
- DS 击穿电压-最小值
- 雪崩能量等级(Eas)
- RoHS状态
- 无铅
- JESD-609代码
- 无铅代码
- ECCN 代码
- 端子表面处理
- MOSFET N-CH 60V 57A TO-22012 Weeks通孔通孔TO-220-3SILICON57A Tc150°C TJTube2014最后一次购买1 (Unlimited)3SINGLE未说明unknown未说明R-PSFM-T3SINGLE WITH BUILT-IN DIODE增强型MOSFETDRAINN-ChannelSWITCHING9.2m Ω @ 28.5A, 10V2.5V @ 650μA2520pF @ 25V38.6nC @ 10V60V±20V57ATO-220AB0.0092Ohm114A60V89 mJ符合RoHS标准无铅----
- MOSFET N-CHA 60V 98A TO22024 Weeks通孔通孔TO-220-3-98A Tc-55°C~150°C TJTube2016活跃1 (Unlimited)--未说明not_compliant未说明----N-Channel-7.2m Ω @ 20A, 10V4V @ 250μA1940pF @ 30V36.3nC @ 10V60V±20V98A-----ROHS3 Compliant-e3yesEAR99Matte Tin (Sn)
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | PSMN7R6-60XSQ | NXP USA Inc. | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab | PSMN7R6-60XS/TO-220F/STANDARD | 对比 |
![]() | IPA093N06N3GXKSA1 | Infineon Technologies | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | TO-220-3 Full Pack | Trans MOSFET N-CH 60V 43A 3-Pin(3 Tab) TO-220 Full-Pack | 对比 |
![]() | DMT6010SCT | Diodes Incorporated | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | TO-220-3 | MOSFET N-CHA 60V 98A TO220 | 对比 |






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