EKI10126备选型号: NDPL070N10BG
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- 工厂交货时间
- 底架
- 安装类型
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- 操作温度
- 包装
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- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 峰值回流焊温度(摄氏度)
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- 场效应管类型
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 漏源电压 (Vdss)
- Vgs(最大值)
- 连续放电电流(ID)
- RoHS状态
- 无铅
- 引脚数
- JESD-609代码
- 无铅代码
- ECCN 代码
- 端子表面处理
- 接通延迟时间
- 上升时间
- 下降时间(典型值)
- 阈值电压
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 达到SVHC
- MOSFET N-CH 100V 66A TO-22012 Weeks通孔通孔TO-220-366A Tc150°C TJTube2014活跃1 (Unlimited)未说明未说明N-Channel11.6m Ω @ 33A, 10V2.5V @ 1.5mA6420pF @ 25V88.8nC @ 10V100V±20V66A符合RoHS标准无铅-----------
- ON SEMICONDUCTOR NDPL070N10BG MOSFET Transistor, N Channel, 70 A, 100 V, 0.009 ohm, 15 V, 4 V4 WeeksSurface Mount, Through Hole通孔TO-220-370A Ta175°C TJTube-Obsolete1 (Unlimited)未说明未说明N-Channel10.8m Ω @ 35A, 15V4V @ 1mA2010pF @ 50V26nC @ 10V100V±20V70A符合RoHS标准无铅3e3yesEAR99Tin (Sn)30 ns180ns40 ns4V20V无SVHC
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | IPP70N10S312AKSA1 | Infineon Technologies | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | TO-220-3 | MOSFET N-CH 100V 70A TO220-3 | 对比 |
![]() | PSMN8R5-100XSQ | NXP USA Inc. | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab | MOSFET PSMN8R5-100XS/TO-220F/RAILH | 对比 |
![]() | NDPL070N10BG | ON Semiconductor | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | TO-220-3 | ON SEMICONDUCTOR NDPL070N10BG MOSFET Transistor, N Channel, 70 A, 100 V, 0.009 ohm, 15 V, 4 V | 对比 |






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