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首页 全部分类 EL817(M)(C) vs H11B815300W

EL817(M)(C)备选型号: H11B815300W

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  • 输出电压
  • 功率耗散
  • 正向电流
  • 每个通道的输出电流
  • 上升时间
  • 下降时间（典型值）
  • 集电极发射器电压(VCEO)
  • 最大集电极电流
  • 反向击穿电压
  • 无铅
  • Everlight Electronics Co Ltd
    EL817(M)(C)
    Everlight Electronics Co Ltd
    OPTOISOLTR 5KV TRANSISTOR 4-DIP
    20 Weeks
    通孔
    4-DIP (0.400, 10.16mm)
    NO
    200% @ 5mA
    -55°C~110°C
    Tube
    2010
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    未说明
    UL 认证
    5000Vrms
    Transistor
    SINGLE
    1
    1.2V
    DC
    4μs 3μs
    0.05A
    60mA
    400% @ 5mA
    200mV
    35V
    ROHS3 Compliant
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • ON Semiconductor
    H11B815300W
    ON Semiconductor
    OPTOISOLATOR 5KV DARLINGTON 4DIP
    -
    通孔
    4-DIP (0.400, 10.16mm)
    -
    600% @ 1mA
    -55°C~100°C
    Tube
    2005
    -
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    -
    -
    5000Vrms
    Darlington
    -
    -
    1.2V
    DC
    300μs 250μs Max
    -
    -
    7500% @ 1mA
    -
    -
    符合RoHS标准
    通孔
    4
    1V
    250mW
    35V
    250mW
    50mA
    80mA
    300μs
    250 μs
    35V
    80mA
    6V
    无铅
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