ON Semiconductor H11B815300W

底架

通孔

安装类型

通孔

包装/外壳

4-DIP (0.400, 10.16mm)

引脚数

4

Collector-Emitter Saturation Voltage

1V

Current Transfer Ratio-Min

600% @ 1mA

Number of Elements

1

操作温度

-55°C~100°C

包装

Tube

已出版

2005

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

最大功率耗散

250mW

电压-隔离度

5000Vrms

输出电压

35V

输出类型

Darlington

功率耗散

250mW

电压 - 正向 (Vf) (类型)

1.2V

输入类型

DC

正向电流

50mA

每个通道的输出电流

80mA

上升时间

300μs

下降时间（典型值）

250 μs

集电极发射器电压(VCEO)

35V

最大集电极电流

80mA

上升/下降时间(Typ)

300μs 250μs Max

反向击穿电压

6V

电流传输比（最大）

7500% @ 1mA

RoHS状态

符合RoHS标准

无铅

无铅