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首页 全部分类 EM6J1T2R vs NTA4001NT1

EM6J1T2R备选型号: NTA4001NT1

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  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 最大漏极电流 (Abs) (ID)
  • 漏源击穿电压
  • 场效应管技术
  • 场效应管特性
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 无铅
  • HTS代码
  • 电压 - 额定直流
  • 端子位置
  • Reach合规守则
  • 额定电流
  • JESD-30代码
  • 资历状况
  • 元素配置
  • Vgs（最大值）
  • 漏极-源极导通最大电阻
  • 反馈上限-最大值 (Crss)
  • ROHM Semiconductor
    EM6J1T2R
    ROHM Semiconductor
    MOSFET 2P-CH 20V 0.2A EMT6
    16 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    SOT-563, SOT-666
    6
    SILICON
    2
    150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    2009
    e2
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    6
    EAR99
    Tin/Copper (Sn/Cu)
    150mW
    FLAT
    260
    10
    *J1
    6
    SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE
    增强型MOSFET
    150mW
    6 ns
    2 P-Channel (Dual)
    SWITCHING
    1.2 Ω @ 200mA, 4.5V
    1V @ 100μA
    115pF @ 10V
    1.4nC @ 4.5V
    4ns
    20V
    17 ns
    200mA
    10V
    0.2A
    -20V
    METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
    逻辑电平门
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • ON Semiconductor
    NTA4001NT1
    ON Semiconductor
    MOSFET N-CH 20V 0.238A SOT-416
    -
    表面贴装
    表面贴装
    SC-75, SOT-416
    -
    SILICON
    238mA Tj
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    2007
    e0
    -
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    3
    EAR99
    Tin/Lead (Sn/Pb)
    -
    鸥翼
    235
    未说明
    -
    3
    -
    增强型MOSFET
    300mW
    -
    N-Channel
    SWITCHING
    3 Ω @ 10mA, 4.5V
    1.5V @ 100μA
    20pF @ 5V
    -
    15ns
    -
    15 ns
    238mA
    10V
    0.238A
    20V
    -
    -
    -
    Non-RoHS Compliant
    含铅
    8541.29.00.95
    20V
    DUAL
    not_compliant
    238mA
    R-PDSO-G3
    不合格
    Single
    ±10V
    3.5Ohm
    6 pF
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