ROHM Semiconductor EM6J1T2R

工厂交货时间

16 Weeks

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

SOT-563, SOT-666

引脚数

6

晶体管元件材料

SILICON

Number of Elements

2

Turn Off Delay Time

17 ns

操作温度

150°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

已出版

2009

JESD-609代码

e2

无铅代码

yes

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

6

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Tin/Copper (Sn/Cu)

最大功率耗散

150mW

终端形式

FLAT

峰值回流焊温度（摄氏度）

260

时间@峰值回流温度-最大值(s)

10

基本部件号

*J1

引脚数量

6

配置

SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

150mW

接通延迟时间

6 ns

场效应管类型

2 P-Channel (Dual)

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

1.2 Ω @ 200mA, 4.5V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

1V @ 100μA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

115pF @ 10V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

1.4nC @ 4.5V

上升时间

4ns

漏源电压 (Vdss)

20V

下降时间（典型值）

17 ns

连续放电电流(ID)

200mA

栅极至源极电压(Vgs)

10V

最大漏极电流 (Abs) (ID)

0.2A

漏源击穿电压

-20V

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

场效应管特性

逻辑电平门

辐射硬化

无

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

无铅