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首页 全部分类 EM6K31GT2R vs 2N7002K

EM6K31GT2R备选型号: 2N7002K

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  • 场效应管特性
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  • 功率耗散
  • 接通延迟时间
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  • 阈值电压
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 漏源击穿电压
  • 输入电容
  • 最大结点温度（Tj）
  • 漏源电阻
  • 最大rds
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 达到SVHC
  • 辐射硬化
  • 无铅
  • ROHM Semiconductor
    EM6K31GT2R
    ROHM Semiconductor
    MOSFET 2N-CH 60V 0.25A EMT6
    16 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    SOT-563, SOT-666
    150°C TJ
    Cut Tape (CT)
    活跃
    1 (Unlimited)
    120mW
    120mW
    2 N-Channel (Dual)
    2.4 Ω @ 250mA, 10V
    2.3V @ 1mA
    15pF @ 25V
    60V
    250mA
    Logic Level Gate, 2.5V Drive
    ROHS3 Compliant
    -
    -
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    -
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    -
  • ON Semiconductor
    2N7002K
    ON Semiconductor
    MOSFET N-CH 60V 300MA SOT23
    8 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    活跃
    1 (Unlimited)
    -
    -
    N-Channel
    2Ohm @ 500mA, 10V
    2.5V @ 250μA
    50pF @ 25V
    60V
    320mA
    -
    ROHS3 Compliant
    ACTIVE (Last Updated: 3 days ago)
    Tin
    3
    SOT-23 (TO-236AB)
    300mA Ta
    2016
    2Ohm
    150°C
    -55°C
    1
    60V
    Single
    3A
    300mW
    12.2 ns
    ±20V
    2.5V
    20V
    60V
    50pF
    150°C
    2Ohm
    2 Ω
    1.11mm
    2.92mm
    1.3mm
    无SVHC
    无
    无铅
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图片 产品型号 品牌 分类 封装 描述 对比
2N7002K 2N7002K ON Semiconductor 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 MOSFET N-CH 60V 300MA SOT23 对比