EM6K7T2R备选型号: NTK3142PT1G
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- 工厂交货时间
- 底架
- 安装类型
- 包装/外壳
- 引脚数
- 晶体管元件材料
- 操作温度
- 包装
- 已出版
- 无铅代码
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- ECCN 代码
- 最大功率耗散
- 终端形式
- 峰值回流焊温度(摄氏度)
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- 基本部件号
- 引脚数量
- 配置
- 操作模式
- 接通延迟时间
- 场效应管类型
- 晶体管应用
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 上升时间
- 漏源电压 (Vdss)
- 下降时间(典型值)
- 连续放电电流(ID)
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 最大漏极电流 (Abs) (ID)
- 漏极-源极导通最大电阻
- DS 击穿电压-最小值
- 场效应管技术
- 场效应管特性
- 辐射硬化
- RoHS状态
- 无铅
- 生命周期状态
- JESD-609代码
- 端子表面处理
- 电压 - 额定直流
- 端子位置
- Reach合规守则
- 额定电流
- 资历状况
- 元素配置
- 功率耗散
- Vgs(最大值)
- 漏源击穿电压
- MOSFET 2N-CH 20V 0.2A EMT616 Weeks表面贴装表面贴装SOT-563, SOT-6666SILICON2150°C TJDigi-Reel®2009yes活跃1 (Unlimited)6EAR99150mWFLAT26010*K76SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE增强型MOSFET5 ns2 N-Channel (Dual)SWITCHING1.2 Ω @ 200mA, 2.5V1V @ 1mA25pF @ 10V10ns20V10 ns200mA8V0.2A1.4Ohm20VMETAL-OXIDE SEMICONDUCTOR逻辑电平门无ROHS3 Compliant无铅------------
- MOSFET P-CH 20V 0.215A SOT-723-表面贴装表面贴装SOT-7233SILICON215mA Ta-55°C~150°C TJTape & Reel (TR)2006yesObsolete1 (Unlimited)3EAR99-FLAT26040-3-增强型MOSFET-P-ChannelSWITCHING4 Ω @ 260mA, 4.5V1.3V @ 250μA15.3pF @ 10V15.3ns-15.3 ns-260A8V-4Ohm----符合RoHS标准无铅LAST SHIPMENTS (Last Updated: 1 week ago)e3Tin (Sn)-20VDUALunknown-260mA不合格Single400mW±8V20V
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| NTNS3190NZT5G | ON Semiconductor | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | 3-XFDFN | MOSFET N-CH 20V 0.224A XLLGA3 | 对比 | |
| NTK3142PT5G | ON Semiconductor | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | SOT-723 | MOSFET P-CH 20V 0.215A SOT-723 | 对比 | |
![]() | DMN2990UFZ-7B | Diodes Incorporated | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | 3-XFDFN | MOSFET N-CH 20V .25A X2-DFN0606 | 对比 |



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