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首页 全部分类 EM6K7T2R vs NTNS3190NZT5G

EM6K7T2R备选型号: NTNS3190NZT5G

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  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 最大漏极电流 (Abs) (ID)
  • 漏极-源极导通最大电阻
  • DS 击穿电压-最小值
  • 场效应管技术
  • 场效应管特性
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 无铅
  • JESD-609代码
  • 端子表面处理
  • 端子位置
  • 通道数量
  • 箱体转运
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • Vgs（最大值）
  • ROHM Semiconductor
    EM6K7T2R
    ROHM Semiconductor
    MOSFET 2N-CH 20V 0.2A EMT6
    16 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    SOT-563, SOT-666
    6
    SILICON
    2
    150°C TJ
    Digi-Reel®
    2009
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    6
    EAR99
    150mW
    FLAT
    260
    10
    *K7
    6
    SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE
    增强型MOSFET
    5 ns
    2 N-Channel (Dual)
    SWITCHING
    1.2 Ω @ 200mA, 2.5V
    1V @ 1mA
    25pF @ 10V
    10ns
    20V
    10 ns
    200mA
    8V
    0.2A
    1.4Ohm
    20V
    METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
    逻辑电平门
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • ON Semiconductor
    NTNS3190NZT5G
    ON Semiconductor
    MOSFET N-CH 20V 0.224A XLLGA3
    7 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    3-XFDFN
    3
    SILICON
    224mA Ta
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    2012
    -
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    EAR99
    -
    无铅
    -
    -
    -
    -
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE AND RESISTOR
    增强型MOSFET
    18 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    1.4 Ω @ 100mA, 4.5V
    1V @ 250μA
    15.8pF @ 15V
    35ns
    20V
    110 ns
    224mA
    8V
    -
    -
    20V
    -
    -
    -
    ROHS3 Compliant
    -
    e4
    Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)
    BOTTOM
    1
    DRAIN
    0.7nC @ 4.5V
    ±8V
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