EMF32T2R备选型号: BAT68E6327HTSA1

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  • 描述:
  • 底架
  • 安装类型
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  • 引脚数
  • 晶体管元件材料
  • 包装
  • 已出版
  • JESD-609代码
  • 无铅代码
  • 零件状态
  • 湿度敏感性等级(MSL)
  • 终止次数
  • ECCN 代码
  • 端子表面处理
  • 应用
  • 额定电流
  • 端子位置
  • 终端形式
  • 峰值回流焊温度(摄氏度)
  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • 引脚数量
  • 配置
  • 操作模式
  • 晶体管应用
  • 晶体管类型
  • 最大漏极电流 (Abs) (ID)
  • 漏极-源极导通最大电阻
  • DS 击穿电压-最小值
  • 场效应管技术
  • 最大耗散功率(Abs)
  • 集电极电流-最大值(IC)
  • 最小直流增益(hFE)
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 工厂交货时间
  • 二极管元件材料
  • 操作温度
  • HTS代码
  • 电压 - 额定直流
  • 基本部件号
  • 极性
  • 电压
  • 元素配置
  • 电流
  • 二极管类型
  • 输出电流
  • 正向电流
  • 正向电压
  • 最大重复反向电压(Vrrm)
  • 电容@Vr, F
  • 频带
  • 电阻@If,F
  • 二极管电容-最大值
  • 无铅
  • ROHM Semiconductor
    TRANS DUAL DTA143T/2SK2019 EMT6
    表面贴装
    表面贴装
    SOT-563, SOT-666
    6
    SILICON
    1
    Tape & Reel (TR)
    2004
    e3/e2
    yes
    不用于新设计
    1 (Unlimited)
    6
    EAR99
    TIN/TIN COPPER
    通用型
    100mA PNP 100mA N-Channel
    DUAL
    FLAT
    260
    10
    6
    单个内置双极晶体管和二极管
    增强型MOSFET
    SWITCHING
    PNP Pre-Biased, N-Channel
    0.1A
    8Ohm
    30V
    METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
    0.15W
    0.1A
    100
    ROHS3 Compliant
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    Diode Schottky 8V 0.13A 3-Pin SOT-23 T/R
    表面贴装
    -
    TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
    3
    -
    1
    Tape & Reel (TR)
    2011
    e3
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    EAR99
    Tin (Sn)
    -
    130mA
    DUAL
    鸥翼
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    ROHS3 Compliant
    4 Weeks
    SILICON
    150°C TJ
    8541.10.00.60
    8V
    BAT68
    Standard
    8V
    Single
    13A
    Schottky - Single
    130mA
    130mA
    318mV
    8V
    1pF @ 0V 1MHz
    甚高频转超高频
    10Ohm @ 5mA 10kHz
    1pF
    无铅
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