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首页 全部分类 EMH2418R-TL-H vs ECH8695R-TL-W

EMH2418R-TL-H备选型号: ECH8695R-TL-W

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  • 描述:
  • 生命周期状态
  • 工厂交货时间
  • 底架
  • 安装类型
  • 包装/外壳
  • 引脚数
  • 操作温度
  • 包装
  • 已出版
  • JESD-609代码
  • 无铅代码
  • 零件状态
  • 湿度敏感性等级(MSL)
  • ECCN 代码
  • 端子表面处理
  • 最大功率耗散
  • 峰值回流焊温度（摄氏度）
  • Reach合规守则
  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • 通道数量
  • 接通延迟时间
  • 场效应管类型
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 上升时间
  • 漏源电压 (Vdss)
  • 下降时间（典型值）
  • 连续放电电流(ID)
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 场效应管特性
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 触点镀层
  • 元素配置
  • 漏源击穿电压
  • 场效应管技术
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • ON Semiconductor
    EMH2418R-TL-H
    ON Semiconductor
    Trans MOSFET N-CH 24V 9A 8-Pin SOT-383FL
    ACTIVE (Last Updated: 20 hours ago)
    9 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    8-SMD, Flat Lead
    8
    17.5 μs
    150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    2014
    e6
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    EAR99
    Tin/Bismuth (Sn/Bi)
    1.3W
    未说明
    not_compliant
    未说明
    2
    120 ns
    2 N-Channel (Dual) Common Drain
    15m Ω @ 4A, 4.5V
    1.3V @ 1mA
    4.4nC @ 4.5V
    170ns
    24V
    22.6 μs
    9A
    12V
    Logic Level Gate, 2.5V Drive
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • ON Semiconductor
    ECH8695R-TL-W
    ON Semiconductor
    MOSFET 2N-CH 24V 11A SOT28
    ACTIVE (Last Updated: 2 days ago)
    6 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    8-SMD, Flat Lead
    8
    19.7 μs
    150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    2013
    e6
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    EAR99
    -
    1.4W
    未说明
    not_compliant
    未说明
    2
    300 ns
    2 N-Channel (Dual) Common Drain
    9.1m Ω @ 5A, 4.5V
    1.3V @ 1mA
    10nC @ 4.5V
    320ns
    24V
    22.3 μs
    11A
    12.5V
    Logic Level Gate, 2.5V Drive
    ROHS3 Compliant
    无铅
    Tin
    Dual
    24V
    METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
    900μm
    2.9mm
    2.3mm
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图片 产品型号 品牌 分类 封装 描述 对比
ECH8697R-TL-W ECH8697R-TL-W ON Semiconductor 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 8-SMD, Flat Lead MOSFET 2N-CH 24V 10A SOT-28 对比