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技术文档

价格梯度
内地含税价
1
¥2.437109
10
¥2.29916
100
¥2.169019
500
¥2.046244
1000
¥1.930419
ON Semiconductor ECH8697R-TL-W
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- 对比
ECH8697R-TL-W
1807-ECH8697R-TL-W
晶体管 - FET,MOSFET - 阵列
8-SMD, Flat Lead
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MOSFET 2N-CH 24V 10A SOT-28
--最小包装量--
¥
总价: ¥
ECH8697R-TL-W详情
ON Semiconductor ECH8697R-TL-W重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
生命周期状态
ACTIVE (Last Updated: 2 days ago)
工厂交货时间
20 Weeks
底架
表面贴装
安装类型
表面贴装
包装/外壳
8-SMD, Flat Lead
Turn Off Delay Time
19.7 μs
操作温度
150°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
已出版
2013
JESD-609代码
e6
无铅代码
yes
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
Tin/Bismuth (Sn/Bi)
最大功率耗散
1.5W
Reach合规守则
not_compliant
通道数量
2
元素配置
Dual
接通延迟时间
160 ns
场效应管类型
2 N-Channel (Dual) Common Drain
Rds On(Max)@Id,Vgs
11.6m Ω @ 5A, 4.5V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
6nC @ 4.5V
上升时间
230ns
漏源电压 (Vdss)
24V
下降时间(典型值)
23.6 μs
连续放电电流(ID)
10A
栅极至源极电压(Vgs)
12.5V
漏源击穿电压
24V
场效应管特性
Logic Level Gate, 2.5V Drive
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
无铅
ECH8697R-TL-W拓展信息








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