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首页 全部分类 EMX1DXV6T5G vs EMD4DXV6T1G

EMX1DXV6T5G备选型号: EMD4DXV6T1G

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  • 功率耗散
  • 晶体管应用
  • 增益带宽积
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  • 最大集电极电流
  • 最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce
  • 最大集极截止电流
  • 不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）
  • 转换频率
  • 集电极基极电压(VCBO)
  • 发射极基极电压 (VEBO)
  • RoHS状态
  • 辐射硬化
  • 无铅
  • 端子表面处理
  • 最高工作温度
  • 最小工作温度
  • 附加功能
  • 资历状况
  • 无卤素
  • 电阻基(R1)
  • 连续集电极电流
  • 电阻-发射极基极(R2)
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • ON Semiconductor
    EMX1DXV6T5G
    ON Semiconductor
    TRANS 2NPN 50V 0.1A SOT563
    ACTIVE (Last Updated: 1 day ago)
    7 Weeks
    Tin
    表面贴装
    SOT-563, SOT-666
    YES
    6
    SILICON
    50V
    400mV
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    2005
    e3
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    6
    EAR99
    50V
    500mW
    FLAT
    260
    100mA
    180MHz
    40
    6
    NPN
    Dual
    500mW
    AMPLIFIER
    180MHz
    2 NPN (Dual)
    50V
    100mA
    120 @ 1mA 6V
    500nA ICBO
    400mV @ 5mA, 50mA
    180MHz
    60V
    7V
    ROHS3 Compliant
    无
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • ON Semiconductor
    EMD4DXV6T1G
    ON Semiconductor
    TRANS PREBIAS NPN/PNP SOT563
    ACTIVE (Last Updated: 3 days ago)
    2 Weeks
    -
    表面贴装
    SOT-563, SOT-666
    YES
    6
    -
    50V
    250mV
    -
    Tape & Reel (TR)
    2005
    e3
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    6
    EAR99
    50V
    500mW
    FLAT
    260
    100mA
    -
    40
    6
    NPN, PNP
    Dual
    357mW
    -
    -
    1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
    50V
    100mA
    80 @ 5mA 10V
    500nA
    250mV @ 300μA, 10mA
    -
    -
    6V
    ROHS3 Compliant
    -
    无铅
    Tin (Sn)
    150°C
    -55°C
    BUILT-IN BIAS RESISTOR RATIO IS 1
    不合格
    无卤素
    47k Ω, 10k Ω
    100mA
    47k Ω
    600μm
    1.7mm
    1.3mm
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