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首页 全部分类 EPC2007C vs IRF7495TRPBF

EPC2007C备选型号: IRF7495TRPBF

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  • 端子位置
  • 终端形式
  • 峰值回流焊温度（摄氏度）
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  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • 元素配置
  • 操作模式
  • 功率耗散
  • 接通延迟时间
  • 晶体管应用
  • 上升时间
  • 下降时间（典型值）
  • 阈值电压
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 漏源击穿电压
  • 双电源电压
  • 栅源电压
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 达到SVHC
  • 辐射硬化
  • 无铅
  • EPC
    EPC2007C
    EPC
    GANFET TRANS 100V 6A BUMPED DIE
    12 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    Die
    Die Outline (5-Solder Bar)
    6A Ta
    -40°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    eGaN®
    2015
    活跃
    1 (Unlimited)
    150°C
    -40°C
    N-Channel
    30mOhm @ 6A, 5V
    2.5V @ 1.2mA
    220pF @ 50V
    2.2nC @ 5V
    100V
    +6V, -4V
    6A
    220pF
    30 mΩ
    ROHS3 Compliant
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    IRF7495TRPBF
    Infineon Technologies
    MOSFET N-CH 100V 7.3A 8-SOIC
    12 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
    -
    7.3A Ta
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    HEXFET®
    2004
    活跃
    1 (Unlimited)
    -
    -
    N-Channel
    22m Ω @ 4.4A, 10V
    4V @ 250μA
    1530pF @ 25V
    51nC @ 10V
    -
    ±20V
    7.3A
    -
    -
    ROHS3 Compliant
    8
    SILICON
    e3
    8
    SMD/SMT
    EAR99
    22MOhm
    Matte Tin (Sn)
    100V
    DUAL
    鸥翼
    260
    7.3A
    30
    Single
    增强型MOSFET
    2.5W
    8.7 ns
    SWITCHING
    13ns
    36 ns
    4V
    20V
    100V
    100V
    4 V
    1.4986mm
    4.9784mm
    3.9878mm
    无SVHC
    无
    Contains Lead, Lead Free
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