您好，欢迎来到优特美尔 登录 注册有礼
我的订单 会员中心
订单状态 询价历史 我的收藏 地址管理
QQ在线咨询 电话0755-83328606
DEGSON海康连接器端子储存器硬盘闪存卡
IC分立半导体传感器
询价列表
购物车
0
首页 产品目录表 品牌库 BOM配单 行业资讯 资质认证 关于我们 联系我们
首页 全部分类 EPC2012C vs FQD7P20TM

EPC2012C备选型号: FQD7P20TM

  • 隐藏公共属性
  • 型号:
  • 品牌:
  • 描述:
  • 工厂交货时间
  • 底架
  • 安装类型
  • 包装/外壳
  • 供应商器件包装
  • 操作温度
  • 包装
  • 系列
  • 已出版
  • 零件状态
  • 湿度敏感性等级(MSL)
  • 最高工作温度
  • 最小工作温度
  • 场效应管类型
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 漏源电压 (Vdss)
  • Vgs（最大值）
  • 连续放电电流(ID)
  • 输入电容
  • 最大rds
  • RoHS状态
  • 生命周期状态
  • 触点镀层
  • 引脚数
  • 晶体管元件材料
  • JESD-609代码
  • 无铅代码
  • 终止次数
  • ECCN 代码
  • 电阻
  • 电压 - 额定直流
  • 终端形式
  • 额定电流
  • JESD-30代码
  • 电压
  • 元素配置
  • 电流
  • 操作模式
  • 功率耗散
  • 箱体转运
  • 接通延迟时间
  • 晶体管应用
  • 上升时间
  • 下降时间（典型值）
  • 阈值电压
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 漏源击穿电压
  • 雪崩能量等级（Eas）
  • 栅源电压
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 达到SVHC
  • 辐射硬化
  • 无铅
  • EPC
    EPC2012C
    EPC
    GANFET TRANS 200V 5A BUMPED DIE
    12 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    Die
    Die Outline (4-Solder Bar)
    5A Ta
    -40°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    eGaN®
    2012
    活跃
    1 (Unlimited)
    150°C
    -40°C
    N-Channel
    100mOhm @ 3A, 5V
    2.5V @ 1mA
    140pF @ 100V
    1.3nC @ 5V
    200V
    +6V, -4V
    5A
    140pF
    100 mΩ
    ROHS3 Compliant
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • ON Semiconductor
    FQD7P20TM
    ON Semiconductor
    MOSFET P-CH 200V 5.7A DPAK
    4 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
    -
    5.7A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    QFET®
    2000
    活跃
    1 (Unlimited)
    -
    -
    P-Channel
    690m Ω @ 2.85A, 10V
    5V @ 250μA
    770pF @ 25V
    25nC @ 10V
    200V
    ±30V
    5.7mA
    -
    -
    ROHS3 Compliant
    ACTIVE (Last Updated: 2 days ago)
    Tin
    3
    SILICON
    e3
    yes
    2
    EAR99
    690mOhm
    -200V
    鸥翼
    -5.7A
    R-PSSO-G2
    150V
    Single
    13A
    增强型MOSFET
    2.5W
    DRAIN
    15 ns
    SWITCHING
    110ns
    42 ns
    -5V
    30V
    -200V
    570 mJ
    5 V
    2.3mm
    6.6mm
    6.1mm
    无SVHC
    无
    无铅
  • 添加型号
分立半导体产品相关产品
图片 产品型号 品牌 分类 封装 描述 对比
IRFH5020TRPBF IRFH5020TRPBF Infineon Technologies 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 8-PowerTDFN MOSFET N-CH 200V 5.1A 8PQFN 对比
FQD7P20TM FQD7P20TM ON Semiconductor 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 MOSFET P-CH 200V 5.7A DPAK 对比
FDS2672 FDS2672 ON Semiconductor 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) Trans MOSFET N-CH 200V 3.9A 8-Pin SOIC N T/R 对比