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首页 全部分类 EPC2012C vs IRF7820TRPBF

EPC2012C备选型号: IRF7820TRPBF

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  • 阈值电压
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • DS 击穿电压-最小值
  • 栅源电压
  • 达到SVHC
  • 辐射硬化
  • 无铅
  • EPC
    EPC2012C
    EPC
    GANFET TRANS 200V 5A BUMPED DIE
    12 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    Die
    Die Outline (4-Solder Bar)
    5A Ta
    -40°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    eGaN®
    2012
    活跃
    1 (Unlimited)
    150°C
    -40°C
    N-Channel
    100mOhm @ 3A, 5V
    2.5V @ 1mA
    140pF @ 100V
    1.3nC @ 5V
    200V
    +6V, -4V
    5A
    140pF
    100 mΩ
    ROHS3 Compliant
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
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    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    IRF7820TRPBF
    Infineon Technologies
    MOSFET N CH 200V 3.7A 8-SO
    12 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
    -
    3.7A Ta
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    HEXFET®
    2012
    活跃
    1 (Unlimited)
    -
    -
    N-Channel
    78m Ω @ 2.2A, 10V
    5V @ 100μA
    1750pF @ 100V
    44nC @ 10V
    200V
    ±20V
    3.7A
    -
    -
    ROHS3 Compliant
    8
    SILICON
    8
    EAR99
    DUAL
    鸥翼
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    增强型MOSFET
    2.5W
    7.1 ns
    SWITCHING
    3.2ns
    12 ns
    4V
    20V
    200V
    4 V
    无SVHC
    无
    无铅
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