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首页 全部分类 EPC2016 vs BSC118N10NSGATMA1

EPC2016备选型号: BSC118N10NSGATMA1

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  • 终端形式
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  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • 引脚数量
  • JESD-30代码
  • 资历状况
  • 配置
  • 操作模式
  • 功率耗散
  • 箱体转运
  • 接通延迟时间
  • 晶体管应用
  • 无卤素
  • 下降时间（典型值）
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 最大双电源电压
  • 无铅
  • EPC
    EPC2016
    EPC
    TRANS GAN 100V 11A BUMPED DIE
    表面贴装
    表面贴装
    Die
    Die
    11A Ta
    -40°C~125°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    eGaN®
    2012
    Discontinued
    1 (Unlimited)
    125°C
    -40°C
    N-Channel
    16mOhm @ 11A, 5V
    2.5V @ 3mA
    520pF @ 50V
    5.2nC @ 5V
    100V
    +6V, -5V
    11A
    520pF
    16 mΩ
    ROHS3 Compliant
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    BSC118N10NSGATMA1
    Infineon Technologies
    Trans MOSFET N-CH 100V 11A 8-Pin TDSON EP
    表面贴装
    表面贴装
    8-PowerTDFN
    -
    11A Ta 71A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    OptiMOS™
    2009
    活跃
    1 (Unlimited)
    -
    -
    N-Channel
    11.8m Ω @ 50A, 10V
    4V @ 70μA
    3700pF @ 50V
    56nC @ 10V
    -
    ±20V
    11A
    -
    -
    ROHS3 Compliant
    26 Weeks
    8
    SILICON
    no
    5
    EAR99
    DUAL
    FLAT
    未说明
    未说明
    8
    R-PDSO-F5
    不合格
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    增强型MOSFET
    114W
    DRAIN
    21 ns
    SWITCHING
    无卤素
    8 ns
    20V
    100V
    含铅
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