EPC2016C备选型号: DMT10H015LFG-7

  • 隐藏公共属性
  • 型号:
  • 品牌:
  • 描述:
  • 工厂交货时间
  • 底架
  • 安装类型
  • 包装/外壳
  • 供应商器件包装
  • 操作温度
  • 包装
  • 系列
  • 已出版
  • 零件状态
  • 湿度敏感性等级(MSL)
  • 最高工作温度
  • 最小工作温度
  • 通道数量
  • 场效应管类型
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 漏源电压 (Vdss)
  • Vgs(最大值)
  • 连续放电电流(ID)
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 漏源击穿电压
  • 输入电容
  • 最大结点温度(Tj)
  • 漏源电阻
  • 最大rds
  • 高度
  • RoHS状态
  • 引脚数
  • JESD-609代码
  • ECCN 代码
  • 端子表面处理
  • 峰值回流焊温度(摄氏度)
  • Reach合规守则
  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • EPC
    GANFET TRANS 100V 18A BUMPED DIE
    12 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    Die
    Die
    18A Ta
    -40°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    eGaN®
    2012
    活跃
    1 (Unlimited)
    150°C
    -40°C
    1
    N-Channel
    16mOhm @ 11A, 5V
    2.5V @ 3mA
    420pF @ 50V
    4.5nC @ 5V
    100V
    +6V, -4V
    18A
    6V
    100V
    420pF
    150°C
    12mOhm
    16 mΩ
    815μm
    ROHS3 Compliant
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Diodes Incorporated
    MOSFET N-CH 100V 10A
    23 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    8-PowerVDFN
    -
    10A Ta 42A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    -
    2015
    活跃
    1 (Unlimited)
    -
    -
    -
    N-Channel
    13.5m Ω @ 20A, 10V
    3.5V @ 250μA
    1871pF @ 50V
    33.3nC @ 10V
    100V
    ±20V
    42A
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    ROHS3 Compliant
    8
    e3
    EAR99
    Matte Tin (Sn)
    未说明
    not_compliant
    未说明
  • 添加型号
分立半导体产品相关产品
图片 产品型号 品牌 分类 封装 描述 对比
DMTH10H015LK3-13 DMTH10H015LK3-13 Diodes Incorporated 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 TO-252-5, DPak (4 Leads + Tab), TO-252AD MOSFET NCH 100V 52.5A TO252 对比
HUF76629D3S HUF76629D3S ON Semiconductor 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 MOSFET N-CH 100V 20A DPAK 对比