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首页 全部分类 EPC2016C vs HUF76629D3S

EPC2016C备选型号: HUF76629D3S

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  • 引脚数
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  • 无铅代码
  • 终止次数
  • ECCN 代码
  • 端子表面处理
  • 电压 - 额定直流
  • 终端形式
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  • 额定电流
  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • JESD-30代码
  • 资历状况
  • 电压
  • 元素配置
  • 电流
  • 操作模式
  • 功率耗散
  • 箱体转运
  • 晶体管应用
  • 上升时间
  • 下降时间（典型值）
  • JEDEC-95代码
  • 漏极-源极导通最大电阻
  • 无铅
  • EPC
    EPC2016C
    EPC
    GANFET TRANS 100V 18A BUMPED DIE
    12 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    Die
    Die
    18A Ta
    -40°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    eGaN®
    2012
    活跃
    1 (Unlimited)
    150°C
    -40°C
    1
    N-Channel
    16mOhm @ 11A, 5V
    2.5V @ 3mA
    420pF @ 50V
    4.5nC @ 5V
    100V
    +6V, -4V
    18A
    6V
    100V
    420pF
    150°C
    12mOhm
    16 mΩ
    815μm
    ROHS3 Compliant
    -
    -
    -
    -
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    -
    -
    -
    -
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    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • ON Semiconductor
    HUF76629D3S
    ON Semiconductor
    MOSFET N-CH 100V 20A DPAK
    -
    表面贴装
    表面贴装
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
    -
    20A Tc
    -55°C~175°C TJ
    Tube
    UltraFET™
    -
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    -
    -
    -
    N-Channel
    52m Ω @ 20A, 10V
    3V @ 250μA
    1285pF @ 25V
    46nC @ 10V
    -
    ±16V
    20A
    16V
    100V
    -
    -
    -
    -
    -
    符合RoHS标准
    3
    SILICON
    e3
    yes
    2
    EAR99
    Tin (Sn)
    100V
    鸥翼
    未说明
    20A
    未说明
    R-PSSO-G2
    不合格
    100V
    Single
    20A
    增强型MOSFET
    110W
    DRAIN
    SWITCHING
    28ns
    60 ns
    TO-252AA
    0.055Ohm
    无铅
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