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首页 全部分类 EPC2036 vs BSP296L6327HTSA1

EPC2036备选型号: BSP296L6327HTSA1

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  • 漏源电压 (Vdss)
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  • 输入电容
  • 最大结点温度（Tj）
  • 漏源电阻
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  • 高度
  • RoHS状态
  • 引脚数
  • 晶体管元件材料
  • JESD-609代码
  • 无铅代码
  • 终止次数
  • ECCN 代码
  • 端子表面处理
  • 附加功能
  • 端子位置
  • 终端形式
  • 峰值回流焊温度（摄氏度）
  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • 引脚数量
  • 配置
  • 操作模式
  • 功率耗散
  • 箱体转运
  • 接通延迟时间
  • 上升时间
  • 下降时间（典型值）
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 漏极-源极导通最大电阻
  • 辐射硬化
  • EPC
    EPC2036
    EPC
    GANFET TRANS 100V 1A BUMPED DIE
    14 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    Die
    Die
    1.7A Ta
    -40°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    eGaN®
    2012
    活跃
    1 (Unlimited)
    150°C
    -40°C
    1
    N-Channel
    65mOhm @ 1A, 5V
    2.5V @ 600μA
    90pF @ 50V
    0.91nC @ 5V
    100V
    +6V, -4V
    1.7A
    100V
    90pF
    150°C
    62mOhm
    65 mΩ
    815μm
    ROHS3 Compliant
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    BSP296L6327HTSA1
    Infineon Technologies
    Trans MOSFET N-CH 100V 1.1A Automotive 4-Pin(3 Tab) SOT-223 T/R
    -
    表面贴装
    表面贴装
    TO-261-4, TO-261AA
    -
    1.1A Ta
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    SIPMOS®
    2002
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    -
    -
    -
    N-Channel
    700m Ω @ 1.1A, 10V
    1.8V @ 400μA
    364pF @ 25V
    17.2nC @ 10V
    100V
    ±20V
    1.1A
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    符合RoHS标准
    4
    SILICON
    e3
    yes
    4
    EAR99
    哑光锡
    逻辑电平兼容
    DUAL
    鸥翼
    260
    40
    4
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    增强型MOSFET
    1.79W
    DRAIN
    5.2 ns
    7.9ns
    21.4 ns
    20V
    0.7Ohm
    无
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