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首页 全部分类 EPC2036 vs DMN10H100SK3-13

EPC2036备选型号: DMN10H100SK3-13

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  • RoHS状态
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  • 终止次数
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  • 端子位置
  • 终端形式
  • 峰值回流焊温度（摄氏度）
  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • JESD-30代码
  • 配置
  • 操作模式
  • 箱体转运
  • 晶体管应用
  • 最大漏极电流 (Abs) (ID)
  • 漏极-源极导通最大电阻
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • DS 击穿电压-最小值
  • 雪崩能量等级（Eas）
  • EPC
    EPC2036
    EPC
    GANFET TRANS 100V 1A BUMPED DIE
    14 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    Die
    Die
    1.7A Ta
    -40°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    eGaN®
    2012
    活跃
    1 (Unlimited)
    150°C
    -40°C
    1
    N-Channel
    65mOhm @ 1A, 5V
    2.5V @ 600μA
    90pF @ 50V
    0.91nC @ 5V
    100V
    +6V, -4V
    1.7A
    100V
    90pF
    150°C
    62mOhm
    65 mΩ
    815μm
    ROHS3 Compliant
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Diodes Incorporated
    DMN10H100SK3-13
    Diodes Incorporated
    MOSFET N-CH 100V 18A TO252
    23 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
    -
    18A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    -
    2015
    活跃
    1 (Unlimited)
    -
    -
    -
    N-Channel
    80m Ω @ 3.3A, 10V
    3V @ 250μA
    1172pF @ 50V
    25.2nC @ 10V
    100V
    ±20V
    18A
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    ROHS3 Compliant
    SILICON
    e3
    2
    EAR99
    Matte Tin (Sn)
    SINGLE
    鸥翼
    未说明
    未说明
    R-PSSO-G2
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    增强型MOSFET
    DRAIN
    SWITCHING
    14A
    0.08Ohm
    16A
    100V
    32.6 mJ
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图片 产品型号 品牌 分类 封装 描述 对比
DMN10H100SK3-13 DMN10H100SK3-13 Diodes Incorporated 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 MOSFET N-CH 100V 18A TO252 对比