您好，欢迎来到优特美尔 登录 注册有礼
我的订单 会员中心
订单状态 询价历史 我的收藏 地址管理
QQ在线咨询 电话0755-83328606
DEGSON海康连接器端子储存器硬盘闪存卡
IC分立半导体传感器
询价列表
购物车
0
首页 产品目录表 品牌库 BOM配单 行业资讯 资质认证 关于我们 联系我们
首页 全部分类 EPC8002 vs BSP318SH6327XTSA1

EPC8002备选型号: BSP318SH6327XTSA1

  • 隐藏公共属性
  • 型号:
  • 品牌:
  • 描述:
  • 工厂交货时间
  • 底架
  • 安装类型
  • 包装/外壳
  • 供应商器件包装
  • 操作温度
  • 包装
  • 系列
  • 已出版
  • 零件状态
  • 湿度敏感性等级(MSL)
  • 最高工作温度
  • 最小工作温度
  • 场效应管类型
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 漏源电压 (Vdss)
  • Vgs（最大值）
  • 连续放电电流(ID)
  • 输入电容
  • 最大rds
  • RoHS状态
  • 触点镀层
  • 引脚数
  • 晶体管元件材料
  • 制造商包装标识符
  • JESD-609代码
  • 无铅代码
  • 终止次数
  • 终端
  • ECCN 代码
  • 附加功能
  • 端子位置
  • 终端形式
  • 引脚数量
  • 通道数量
  • 元素配置
  • 操作模式
  • 功率耗散
  • 箱体转运
  • 接通延迟时间
  • 无卤素
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 上升时间
  • 下降时间（典型值）
  • 阈值电压
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 最大双电源电压
  • 漏源击穿电压
  • 双电源电压
  • 雪崩能量等级（Eas）
  • 恢复时间
  • 栅源电压
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 达到SVHC
  • 辐射硬化
  • 无铅
  • EPC
    EPC8002
    EPC
    GANFET TRANS 65V 2.7A BUMPED DIE
    12 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    Die
    Die
    2A Ta
    -40°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    eGaN®
    2012
    活跃
    1 (Unlimited)
    150°C
    -40°C
    N-Channel
    530mOhm @ 500mA, 5V
    2.5V @ 250μA
    21pF @ 32.5V
    65V
    +6V, -4V
    2A
    21pF
    530 mΩ
    ROHS3 Compliant
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    BSP318SH6327XTSA1
    Infineon Technologies
    Trans MOSFET N-CH 60V 2.6A 4-Pin(3 Tab) SOT-223 T/R
    10 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    TO-261-4, TO-261AA
    -
    2.6A Tj
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    SIPMOS®
    1999
    活跃
    1 (Unlimited)
    -
    -
    N-Channel
    90m Ω @ 2.6A, 10V
    2V @ 20μA
    380pF @ 25V
    -
    ±20V
    2.6A
    -
    -
    ROHS3 Compliant
    Tin
    4
    SILICON
    PG-SOT223-4
    e3
    yes
    4
    SMD/SMT
    EAR99
    AVALANCHE RATED, LOGIC LEVEL COMPATIBLE
    DUAL
    鸥翼
    4
    1
    Single
    增强型MOSFET
    1.8W
    DRAIN
    12 ns
    无卤素
    20nC @ 10V
    15ns
    15 ns
    1.6V
    20V
    60V
    60V
    60V
    60 mJ
    75 ns
    1.6 V
    1.8mm
    6.5mm
    3.5mm
    无SVHC
    无
    无铅
  • 添加型号
分立半导体产品相关产品
图片 产品型号 品牌 分类 封装 描述 对比
BSP716NH6327XTSA1 BSP716NH6327XTSA1 Infineon Technologies 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 TO-261-4, TO-261AA MOSFET N-CH 75V 2.3A SOT223 对比
BSR606NH6327XTSA1 BSR606NH6327XTSA1 Infineon Technologies 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 MOSFET N-CH 60V 2.3A SC59 对比