EPC8002备选型号: BSP716NH6327XTSA1
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- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 最高工作温度
- 最小工作温度
- 场效应管类型
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 漏源电压 (Vdss)
- Vgs(最大值)
- 连续放电电流(ID)
- 输入电容
- 最大rds
- RoHS状态
- 触点镀层
- 引脚数
- 无卤素
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 上升时间
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 最大双电源电压
- 漏源电阻
- 无铅
- GANFET TRANS 65V 2.7A BUMPED DIE12 Weeks表面贴装表面贴装DieDie2A Ta-40°C~150°C TJTape & Reel (TR)eGaN®2012活跃1 (Unlimited)150°C-40°CN-Channel530mOhm @ 500mA, 5V2.5V @ 250μA21pF @ 32.5V65V+6V, -4V2A21pF530 mΩROHS3 Compliant---------
- MOSFET N-CH 75V 2.3A SOT22310 Weeks表面贴装表面贴装TO-261-4, TO-261AAPG-SOT223-42.3A Ta-55°C~150°C TJTape & Reel (TR)OptiMOS™2013不用于新设计1 (Unlimited)150°C-55°CN-Channel160mOhm @ 2.3A, 10V1.8V @ 218μA315pF @ 25V75V±20V2.3A315pF160 mΩROHS3 CompliantTin4无卤素13.1nC @ 10V5.5ns20V75V122mOhm无铅
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | BSP716NH6327XTSA1 | Infineon Technologies | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | TO-261-4, TO-261AA | MOSFET N-CH 75V 2.3A SOT223 | 对比 |
![]() | BSR606NH6327XTSA1 | Infineon Technologies | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | MOSFET N-CH 60V 2.3A SC59 | 对比 |





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