F30备选型号: JANTX1N5619
- 隐藏公共属性
- 型号:
- 品牌:
- 描述:
- 工厂交货时间
- 底架
- 安装类型
- 包装/外壳
- 引脚数
- 二极管元件材料
- 包装
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- ECCN 代码
- 最高工作温度
- 最小工作温度
- HTS代码
- 终端形式
- 引脚数量
- 元素配置
- 速度
- 二极管类型
- 反向泄漏电流@ Vr
- 不同 If 时电压 - 正向 (Vf)
- 箱体转运
- 工作温度 - 结点
- 输出电流-最大值
- 电压 - 直流逆向(Vr)(最大值)
- 最大反向电压(DC)
- 平均整流电流
- 反向恢复时间
- 峰值反向电流
- 最大重复反向电压(Vrrm)
- 电容@Vr, F
- 峰值非恢复性浪涌电流
- 最大非代表Pk前进电流
- 辐射硬化
- RoHS状态
- 无铅
- 生命周期状态
- 系列
- 已出版
- JESD-609代码
- 端子表面处理
- 基本部件号
- 资历状况
- 正向电压
- DIODE GEN PURP 3KV 350MA AXIAL18 Weeks通孔通孔Axial2SILICON1Bulk活跃1 (Unlimited)2EAR99175°C-65°C8541.10.00.70WIRE2SingleFast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)Standard250nA @ 1500V5V @ 100mAISOLATED-65°C~175°C0.16A3000V3kV350mA250 ns250nA3kV2.5pF @ 5V 1MHz5A5A无符合RoHS标准含铅--------
- DIODE GEN PURP 600V 1A AXIAL32 Weeks通孔通孔A, Axial2SILICON1Bulk活跃1 (Unlimited)2EAR99175°C-55°C8541.10.00.80WIRE2SingleFast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)Standard500nA @ 600V1.6V @ 3AISOLATED-65°C~175°C1A-600V1A250 ns500nA600V-30A-无Non-RoHS Compliant含铅IN PRODUCTION (Last Updated: 3 weeks ago)Military, MIL-PRF-19500/4291997e0Tin/Lead (Sn/Pb)1N5619Qualified1.6V
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | JANTX1N5619 | Microsemi Corporation | 二极管 - 整流器 - 单 | A, Axial | DIODE GEN PURP 600V 1A AXIAL | 对比 |



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