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首页 全部分类 FAN7528M vs IRF7316TRPBF

FAN7528M备选型号: IRF7316TRPBF

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  • 功率耗散
  • 接通延迟时间
  • 场效应管类型
  • 晶体管应用
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 上升时间
  • 漏源电压 (Vdss)
  • 下降时间（典型值）
  • 连续放电电流(ID)
  • 阈值电压
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 漏源击穿电压
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • 雪崩能量等级（Eas）
  • 场效应管技术
  • 恢复时间
  • 最大结点温度（Tj）
  • 场效应管特性
  • 栅源电压
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 达到SVHC
  • 辐射硬化
  • ON Semiconductor
    FAN7528M
    ON Semiconductor
    IC PFC CTRLR CRM/TRANSITION 8SOP
    表面贴装
    表面贴装
    8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
    8
    -40°C~125°C
    Tube
    1996
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    12V~23V
    50kHz
    FAN7528
    Critical Conduction (CRM), Discontinuous (Transition)
    40μA
    符合RoHS标准
    无铅
    -
    -
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    -
  • Infineon Technologies
    IRF7316TRPBF
    Infineon Technologies
    MOSFET 2P-CH 30V 4.9A 8-SOIC
    表面贴装
    表面贴装
    8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
    8
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    2004
    活跃
    1 (Unlimited)
    -
    -
    IRF7316PBF
    -
    -
    ROHS3 Compliant
    Contains Lead, Lead Free
    12 Weeks
    Tin
    SILICON
    4.9A
    HEXFET®
    8
    EAR99
    58mOhm
    雪崩 额定
    -30V
    2W
    鸥翼
    -4.9A
    2
    Dual
    增强型MOSFET
    2W
    13 ns
    2 P-Channel (Dual)
    SWITCHING
    58m Ω @ 4.9A, 10V
    1V @ 250μA
    710pF @ 25V
    34nC @ 10V
    13ns
    30V
    32 ns
    -4.9A
    -1V
    20V
    -30V
    30A
    140 mJ
    METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
    66 ns
    150°C
    逻辑电平门
    -1 V
    1.75mm
    4.9784mm
    3.9878mm
    无SVHC
    无
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IRF7316TRPBF IRF7316TRPBF Infineon Technologies 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) MOSFET 2P-CH 30V 4.9A 8-SOIC 对比