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FCA16N60N备选型号: FCPF20N60
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- 最小工作温度
- 最大功率耗散
- 元素配置
- 操作模式
- 功率耗散
- 接通延迟时间
- 晶体管应用
- 上升时间
- 漏源电压 (Vdss)
- 极性/通道类型
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- 连续放电电流(ID)
- 阈值电压
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- 漏源击穿电压
- 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
- 输入电容
- 场效应管技术
- 漏源电阻
- 最大rds
- 栅源电压
- 高度
- 长度
- 宽度
- 达到SVHC
- 辐射硬化
- RoHS状态
- 无铅
- 安装类型
- 包装/外壳
- 晶体管元件材料
- 操作温度
- 系列
- 电压 - 额定直流
- 额定电流
- 箱体转运
- 场效应管类型
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- Vgs（最大值）
- JEDEC-95代码
- 雪崩能量等级（Eas）
MOSFET N-CH 600V TO-3PNACTIVE (Last Updated: 2 days ago)12 WeeksTin通孔36.401g1Tube2009e3yes活跃1 (Unlimited)3EAR99199mOhm150°C-55°C134.4WSingle增强型MOSFET134.4W15.8 nsSWITCHING15.5ns600VN-CHANNEL20.2 ns16A4V30V600V48A2.17nFMETAL-OXIDE SEMICONDUCTOR170mOhm199 mΩ4 V20.1mm15.8mm5mm无SVHC无ROHS3 Compliant无铅----------------
MOSFET N-CH 600V 20A TO220FACTIVE, NOT REC (Last Updated: 3 days ago)13 WeeksTin通孔32.27g20A TcTube-e3yes不用于新设计1 (Unlimited)3EAR99190MOhm---Single增强型MOSFET39W62 nsSWITCHING140ns--65 ns20A5V30V600V60A-----9.19mm10.16mm4.7mm无SVHC无ROHS3 Compliant无铅通孔TO-220-3 Full PackSILICON-55°C~150°C TJSuperFET™600V20AISOLATEDN-Channel190m Ω @ 10A, 10V5V @ 250μA3080pF @ 25V98nC @ 10V±30VTO-220AB690 mJ- 添加型号
| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
 | STW26NM60N | STMicroelectronics | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-247-3 | MOSFET N-CH 600V 20A TO-247 | 对比 |
 | STP24NM60N | STMicroelectronics | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-220-3 | N-Channel 600 V 190 mOhm Flange Mount MDmesh? II Power Mosfet - TO-220 | 对比 |
 | STI24NM60N | STMicroelectronics | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-262-3 Long Leads, I2Pak, TO-262AA | MOSFET N CH 600V 17A I2PAK | 对比 |
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