ON Semiconductor FCA16N60N

生命周期状态

ACTIVE (Last Updated: 2 days ago)

工厂交货时间

12 Weeks

触点镀层

Tin

底架

通孔

引脚数

3

质量

6.401g

Number of Elements

1

Turn Off Delay Time

60.3 ns

包装

Tube

已出版

2009

JESD-609代码

e3

无铅代码

yes

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

ECCN 代码

EAR99

电阻

199mOhm

最高工作温度

150°C

最小工作温度

-55°C

最大功率耗散

134.4W

元素配置

Single

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

134.4W

接通延迟时间

15.8 ns

晶体管应用

SWITCHING

上升时间

15.5ns

漏源电压 (Vdss)

600V

极性/通道类型

N-CHANNEL

下降时间（典型值）

20.2 ns

连续放电电流(ID)

16A

阈值电压

4V

栅极至源极电压(Vgs)

30V

漏源击穿电压

600V

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

48A

输入电容

2.17nF

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

漏源电阻

170mOhm

最大rds

199 mΩ

栅源电压

4 V

高度

20.1mm

长度

15.8mm

宽度

5mm

达到SVHC

无SVHC

辐射硬化

无

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

无铅