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首页 全部分类 FCA36N60NF vs FCH35N60

FCA36N60NF备选型号: FCH35N60

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  • ECCN 代码
  • 端子表面处理
  • 元素配置
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  • 功率耗散
  • 接通延迟时间
  • 场效应管类型
  • 晶体管应用
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 上升时间
  • Vgs（最大值）
  • 下降时间（典型值）
  • 连续放电电流(ID)
  • 阈值电压
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 漏极-源极导通最大电阻
  • 漏源击穿电压
  • 栅源电压
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 达到SVHC
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • ON Semiconductor
    FCA36N60NF
    ON Semiconductor
    MOSFET 600V N-Ch SupreMOS FRFET MOSFET
    ACTIVE (Last Updated: 3 days ago)
    39 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-3P-3, SC-65-3
    3
    6.401g
    SILICON
    34.9A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Tube
    FRFET®, SuperFET® II
    2013
    e3
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    EAR99
    Tin (Sn)
    Single
    增强型MOSFET
    312W
    27 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    95m Ω @ 18A, 10V
    5V @ 250μA
    4245pF @ 100V
    112nC @ 10V
    17ns
    ±30V
    4 ns
    34.9A
    3.7V
    30V
    0.095Ohm
    600V
    3.7 V
    20.1mm
    16.2mm
    5mm
    无SVHC
    无
    ROHS3 Compliant
  • ON Semiconductor
    FCH35N60
    ON Semiconductor
    MOSFET 600V N-Channel SuperFET
    ACTIVE (Last Updated: 1 week ago)
    12 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-247-3
    3
    6.39g
    SILICON
    35A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Tube
    SuperMOS™
    2013
    e3
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    EAR99
    Tin (Sn)
    Single
    增强型MOSFET
    312.5W
    34 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    98m Ω @ 17.5A, 10V
    5V @ 250μA
    6640pF @ 25V
    181nC @ 10V
    120ns
    ±30V
    73 ns
    35A
    3V
    30V
    0.098Ohm
    600V
    -
    20.82mm
    15.87mm
    4.82mm
    无SVHC
    无
    ROHS3 Compliant
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