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FCB11N60TM备选型号: STB16N65M5
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- 工厂交货时间
- 包装/外壳
- 安装类型
- 底架
- 引脚数
- 质量
- 晶体管元件材料
- Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id
- 包装
- 操作温度
- 系列
- 已出版
- JESD-609代码
- 无铅代码
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- ECCN 代码
- 电阻
- 端子表面处理
- 电压 - 额定直流
- 终端形式
- 额定电流
- 基本部件号
- JESD-30代码
- 元素配置
- 操作模式
- 功率耗散
- 箱体转运
- 接通延迟时间
- 场效应管类型
- 晶体管应用
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 上升时间
- Vgs（最大值）
- 下降时间（典型值）
- 连续放电电流(ID)
- 阈值电压
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 漏源击穿电压
- 栅源电压
- 长度
- 高度
- 宽度
- 辐射硬化
- 达到SVHC
- RoHS状态
- 无铅
- 附加功能
- 峰值回流焊温度（摄氏度）
- 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
- 雪崩能量等级（Eas）
MOSFET N-CH 600V 11A D2PAK12 WeeksTO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB表面贴装表面贴装31.31247gSILICON125W Tc5V @ 250μATape & Reel (TR)-55°C~150°C TJSuperFET™2005e3yes活跃1 (Unlimited)2EAR99380MOhmTin (Sn)600V鸥翼11AFCB11N60R-PSSO-G2Single增强型MOSFET125WDRAIN34 nsN-ChannelSWITCHING380m Ω @ 5.5A, 10V1490pF @ 25V52nC @ 10V98ns±30V56 ns11A5V30V600V5 V10.67mm4.83mm9.65mm无无SVHCROHS3 Compliant无铅----
MOSFET N-Ch MDMesh V 650V 0.270 Ohm 12A D2PAK-TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB表面贴装表面贴装3-SILICON12A Tc5V @ 250μADigi-Reel®150°C TJMDmesh™ V-e3yesObsolete1 (Unlimited)2EAR99279mOhmMatte Tin (Sn) - annealed-鸥翼-STB16NR-PSSO-G2Single增强型MOSFET90WDRAIN25 nsN-ChannelSWITCHING299m Ω @ 6A, 10V1250pF @ 100V31nC @ 10V7ns±25V8 ns12A4V25V650V-10.75mm4.6mm10.4mm无无SVHCROHS3 Compliant无铅ULTRA-LOW RESISTANCE24548A200 mJ- 添加型号
| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| STB16N65M5 | STMicroelectronics | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | MOSFET N-Ch MDMesh V 650V 0.270 Ohm 12A D2PAK | 对比 |
 | STB14NK50ZT4 | STMicroelectronics | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | MOSFET N-CH 500V 14A D2PAK | 对比 |
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