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FCB20N60FTM备选型号: STB25NM60ND
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- 描述:
- 生命周期状态
- 工厂交货时间
- 触点镀层
- 底架
- 安装类型
- 包装/外壳
- 引脚数
- 质量
- 晶体管元件材料
- 操作温度
- 包装
- 系列
- 已出版
- JESD-609代码
- 无铅代码
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- ECCN 代码
- 电阻
- 电压 - 额定直流
- 终端形式
- 额定电流
- 基本部件号
- JESD-30代码
- 元素配置
- 操作模式
- 功率耗散
- 箱体转运
- 接通延迟时间
- 场效应管类型
- 晶体管应用
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 上升时间
- Vgs（最大值）
- 下降时间（典型值）
- 连续放电电流(ID)
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 漏源击穿电压
- 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
- 雪崩能量等级（Eas）
- 高度
- 长度
- 宽度
- 辐射硬化
- RoHS状态
- 无铅
- 端子表面处理
- 峰值回流焊温度（摄氏度）
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- 引脚数量
- 阈值电压
- 达到SVHC
MOSFET N-CH 600V 20A D2PAKACTIVE (Last Updated: 3 days ago)4 WeeksTin表面贴装表面贴装TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB31.31247gSILICON20A Tc-55°C~150°C TJTape & Reel (TR)SuperFET™2008e3yes活跃1 (Unlimited)2EAR99190mOhm600V鸥翼20AFCB20N60R-PSSO-G2Single增强型MOSFET208WDRAIN62 nsN-ChannelSWITCHING190m Ω @ 10A, 10V5V @ 250μA3080pF @ 25V98nC @ 10V140ns±30V65 ns20A30V600V60A690 mJ4.83mm10.67mm9.65mm无ROHS3 Compliant无铅------
MOSFET N-channel 600V, 21A FDMesh II---表面贴装表面贴装TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB3-SILICON21A Tc150°C TJTape & Reel (TR)FDmesh™ II-e3-Obsolete1 (Unlimited)2EAR99160mOhm-鸥翼-STB25NR-PSSO-G2Single增强型MOSFET160W-60 nsN-ChannelSWITCHING160m Ω @ 10.5A, 10V5V @ 250μA2400pF @ 50V80nC @ 10V30ns±25V40 ns21A25V600V84A850 mJ4.6mm10.75mm10.4mm无ROHS3 Compliant无铅Matte Tin (Sn)2453044V无SVHC- 添加型号
| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| FCB20N60TM | ON Semiconductor | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | MOSFET N-CH 600V 20A D2PAK | 对比 |
 | STB24N60M2 | STMicroelectronics | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | MOSFET N-Ch 600V 0.168Ohm 18A MDmesh II Plus | 对比 |
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