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首页 全部分类 FCD3400N80Z vs IPD60R3K3C6ATMA1

FCD3400N80Z备选型号: IPD60R3K3C6ATMA1

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  • 场效应管类型
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
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  • RoHS状态
  • 引脚数
  • 晶体管元件材料
  • 已出版
  • 终止次数
  • 终端形式
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  • 通道数量
  • 操作模式
  • 箱体转运
  • 接通延迟时间
  • 晶体管应用
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  • 栅极至源极电压(Vgs)
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  • 雪崩能量等级（Eas）
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • ON Semiconductor
    FCD3400N80Z
    ON Semiconductor
    TAPE REEL / S FET2 800V 850 O Z
    ACTIVE (Last Updated: 4 days ago)
    4 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
    260.37mg
    2A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    SuperFET® II
    e3
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    EAR99
    Tin (Sn)
    8541.29.00.95
    245
    not_compliant
    未说明
    Single
    N-Channel
    3.4 Ω @ 1A, 10V
    4.5V @ 200μA
    400pF @ 100V
    9.6nC @ 10V
    800V
    ±20V
    2A
    ROHS3 Compliant
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    IPD60R3K3C6ATMA1
    Infineon Technologies
    MOSFET N-CH 600V 1.7A TO252-3
    -
    12 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
    3.949996g
    1.7A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    CoolMOS™ C6
    e3
    -
    不用于新设计
    1 (Unlimited)
    -
    Tin (Sn)
    -
    未说明
    not_compliant
    未说明
    Single
    N-Channel
    3.3 Ω @ 500mA, 10V
    3.5V @ 40μA
    93pF @ 100V
    4.6nC @ 10V
    -
    ±20V
    1.7A
    ROHS3 Compliant
    3
    SILICON
    2008
    2
    鸥翼
    R-PSSO-G2
    1
    增强型MOSFET
    DRAIN
    8 ns
    SWITCHING
    10ns
    60 ns
    30V
    600V
    4A
    6 mJ
    2.41mm
    6.73mm
    6.22mm
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