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首页 全部分类 FCD620N60ZF vs STD10N60M2

FCD620N60ZF备选型号: STD10N60M2

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  • 基本部件号
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  • 通道数量
  • 元素配置
  • 操作模式
  • 箱体转运
  • 接通延迟时间
  • 场效应管类型
  • 晶体管应用
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
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  • 上升时间
  • Vgs（最大值）
  • 下降时间（典型值）
  • 连续放电电流(ID)
  • JEDEC-95代码
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 漏极-源极导通最大电阻
  • 漏源击穿电压
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 触点镀层
  • 电阻
  • ON Semiconductor
    FCD620N60ZF
    ON Semiconductor
    MOSFET SuperFET2 620mohm / 600V, FRFET
    ACTIVE (Last Updated: 4 days ago)
    14 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
    3
    260.37mg
    SILICON
    10V
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    HiPerFET™, Polar™
    2013
    e3
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    2
    EAR99
    Tin (Sn)
    鸥翼
    FCD620N60
    R-PSSO-G2
    1
    Single
    增强型MOSFET
    DRAIN
    15 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    620m Ω @ 3.6A, 10V
    5V @ 250μA
    1135pF @ 25V
    36nC @ 10V
    7ns
    ±20V
    10 ns
    7.3A
    TO-252AA
    20V
    0.62Ohm
    600V
    6.22mm
    6.73mm
    2.39mm
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
  • STMicroelectronics
    STD10N60M2
    STMicroelectronics
    MOSFET N-CH 600V 0.56Ohm 7.5A MDmesh M2
    -
    16 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
    3
    -
    SILICON
    7.5A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    MDmesh™ II Plus
    -
    -
    -
    活跃
    1 (Unlimited)
    2
    EAR99
    -
    鸥翼
    STD10
    R-PSSO-G2
    1
    Single
    增强型MOSFET
    DRAIN
    8.8 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    600m Ω @ 3A, 10V
    4V @ 250μA
    400pF @ 100V
    13.5nC @ 10V
    8ns
    ±25V
    13.2 ns
    7.5A
    -
    25V
    -
    600V
    2.4mm
    6.6mm
    6.2mm
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    Tin
    600mOhm
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