您好，欢迎来到优特美尔 登录 注册有礼
我的订单 会员中心
订单状态 询价历史 我的收藏 地址管理
QQ在线咨询 电话0755-83328606
DEGSON海康连接器端子储存器硬盘闪存卡
IC分立半导体传感器
询价列表
购物车
0
首页 产品目录表 品牌库 BOM配单 行业资讯 资质认证 关于我们 联系我们
首页 全部分类 FCH125N60E vs IPW60R125P6XKSA1

FCH125N60E备选型号: IPW60R125P6XKSA1

  • 隐藏公共属性
  • 型号:
  • 品牌:
  • 描述:
  • 生命周期状态
  • 工厂交货时间
  • 底架
  • 安装类型
  • 包装/外壳
  • 引脚数
  • 质量
  • 操作温度
  • 包装
  • 系列
  • 已出版
  • JESD-609代码
  • 无铅代码
  • 零件状态
  • 湿度敏感性等级(MSL)
  • ECCN 代码
  • 端子表面处理
  • HTS代码
  • 峰值回流焊温度（摄氏度）
  • Reach合规守则
  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • 元素配置
  • 场效应管类型
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 漏源电压 (Vdss)
  • Vgs（最大值）
  • 连续放电电流(ID)
  • 阈值电压
  • 达到SVHC
  • RoHS状态
  • 晶体管元件材料
  • 终止次数
  • 端子位置
  • JESD-30代码
  • 配置
  • 操作模式
  • 箱体转运
  • 晶体管应用
  • 无卤素
  • 最大双电源电压
  • 漏极-源极导通最大电阻
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • 雪崩能量等级（Eas）
  • 无铅
  • ON Semiconductor
    FCH125N60E
    ON Semiconductor
    FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FCH125N60E MOSFET Transistor, N Channel, 29 A, 600 V, 0.102 ohm, 10 V, 3.5 VNew
    ACTIVE (Last Updated: 6 days ago)
    12 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-247-3
    3
    6.39g
    29A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Tube
    SuperFET® II
    2014
    e3
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    EAR99
    TIN
    8541.29.00.95
    260
    not_compliant
    未说明
    Single
    N-Channel
    125m Ω @ 14.5A, 10V
    3.5V @ 250μA
    2990pF @ 380V
    95nC @ 10V
    600V
    ±20V
    29A
    3.5V
    无SVHC
    ROHS3 Compliant
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    IPW60R125P6XKSA1
    Infineon Technologies
    MOSFET N-CH 600V TO247-3
    -
    18 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-247-3
    -
    -
    30A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Tube
    CoolMOS™ P6
    2008
    e3
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    -
    Tin (Sn)
    -
    未说明
    -
    未说明
    -
    N-Channel
    125m Ω @ 11.6A, 10V
    4.5V @ 960μA
    2660pF @ 100V
    56nC @ 10V
    -
    ±20V
    30A
    -
    -
    ROHS3 Compliant
    SILICON
    3
    SINGLE
    R-PSFM-T3
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    增强型MOSFET
    DRAIN
    SWITCHING
    无卤素
    600V
    0.125Ohm
    87A
    636 mJ
    无铅
  • 添加型号
分立半导体产品相关产品
图片 产品型号 品牌 分类 封装 描述 对比
STW43N60DM2 STW43N60DM2 STMicroelectronics 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 TO-247-3 STMICROELECTRONICS STW43N60DM2 Power MOSFET, Mdmesh DM2, N Channel, 34 A, 600 V, 0.085 ohm, 10 V, 4 V 对比
STW34NM60N STW34NM60N STMicroelectronics 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 TO-247-3 MOSFET N-CH 600V 29A TO-247 对比
IPW60R125P6XKSA1 IPW60R125P6XKSA1 Infineon Technologies 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 TO-247-3 MOSFET N-CH 600V TO247-3 对比