FCH165N60E备选型号: FCH125N60E
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- 型号:
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- 生命周期状态
- 工厂交货时间
- 底架
- 安装类型
- 包装/外壳
- 引脚数
- 质量
- 操作温度
- 包装
- 系列
- JESD-609代码
- 无铅代码
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- ECCN 代码
- 端子表面处理
- HTS代码
- 峰值回流焊温度(摄氏度)
- Reach合规守则
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- 元素配置
- 场效应管类型
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 漏源电压 (Vdss)
- Vgs(最大值)
- 连续放电电流(ID)
- 阈值电压
- 达到SVHC
- RoHS状态
- 已出版
- FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FCH165N60E MOSFET Transistor, N Channel, 23 A, 600 V, 0.132 ohm, 10 V, 3.5 VNewACTIVE (Last Updated: 6 days ago)12 Weeks通孔通孔TO-247-336.39g23A Tc-55°C~150°C TJTubeSuperFET® IIe3yes活跃1 (Unlimited)EAR99Tin (Sn)8541.29.00.95未说明not_compliant未说明SingleN-Channel165m Ω @ 11.5A, 10V3.5V @ 250μA2434pF @ 380V75nC @ 10V600V±20V23A3.5V无SVHCROHS3 Compliant-
- FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FCH125N60E MOSFET Transistor, N Channel, 29 A, 600 V, 0.102 ohm, 10 V, 3.5 VNewACTIVE (Last Updated: 6 days ago)12 Weeks通孔通孔TO-247-336.39g29A Tc-55°C~150°C TJTubeSuperFET® IIe3yes活跃1 (Unlimited)EAR99TIN8541.29.00.95260not_compliant未说明SingleN-Channel125m Ω @ 14.5A, 10V3.5V @ 250μA2990pF @ 380V95nC @ 10V600V±20V29A3.5V无SVHCROHS3 Compliant2014
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | IPW60R160P6FKSA1 | Infineon Technologies | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | TO-247-3 | MOSFET N-CH 600V TO247-3 | 对比 |
![]() | STW33N60DM2 | STMicroelectronics | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | TO-247-3 | STMICROELECTRONICS STW33N60DM2 Power MOSFET, Mdmesh DM2, N Channel, 24 A, 600 V, 0.11 ohm, 10 V, 4 V | 对比 |
| FCH125N60E | ON Semiconductor | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | TO-247-3 | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FCH125N60E MOSFET Transistor, N Channel, 29 A, 600 V, 0.102 ohm, 10 V, 3.5 VNew | 对比 |




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