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FCH76N60N备选型号: IPW60R041P6FKSA1
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- 湿度敏感性等级(MSL)
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- 端子表面处理
- 元素配置
- 操作模式
- 功率耗散
- 接通延迟时间
- 场效应管类型
- 晶体管应用
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 上升时间
- Vgs（最大值）
- 下降时间（典型值）
- 连续放电电流(ID)
- 阈值电压
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 漏源击穿电压
- 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
- 雪崩能量等级（Eas）
- 高度
- 长度
- 宽度
- 达到SVHC
- 辐射硬化
- RoHS状态
- 端子位置
- 峰值回流焊温度（摄氏度）
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- 配置
- 最大双电源电压
- 漏极-源极导通最大电阻
- 无铅
MOSFET 600V N-Chan MOSFET SupreMOSACTIVE (Last Updated: 1 day ago)12 Weeks通孔通孔TO-247-336.39gSILICON76A Tc-55°C~150°C TJTubeSupreMOS™2013e3yes活跃1 (Unlimited)3EAR99Tin (Sn)Single增强型MOSFET543W34 nsN-ChannelSWITCHING36m Ω @ 38A, 10V4V @ 250μA12385pF @ 100V285nC @ 10V24ns±30V32 ns76A2V30V600V228A8022 mJ21mm15.95mm5.03mm无SVHC无ROHS3 Compliant-------
Trans MOSFET N-CH 650V 77.5A 3-Pin TO-247 Tube-18 Weeks通孔通孔TO-247-33-SILICON1-55°C~150°C TJTubeCoolMOS™ P62008e3yes活跃1 (Unlimited)3EAR99Tin (Sn)-增强型MOSFET-29 nsN-ChannelSWITCHING41m Ω @ 35.5A, 10V4.5V @ 2.96mA8180pF @ 100V170nC @ 10V27ns±20V5 ns77.5A-30V-267A1954 mJ-----ROHS3 CompliantSINGLE未说明未说明SINGLE WITH BUILT-IN DIODE600V0.041Ohm无铅- 添加型号
| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
 | STW88N65M5 | STMicroelectronics | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-247-3 | MOSFET N-Ch 650V 0.024 Ohm 84A MDMesh V | 对比 |
 | FCH041N60E | ON Semiconductor | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-247-3 | MOSFET N CH 600V 77A TO-247 | 对比 |
 | IPW60R041C6FKSA1 | Infineon Technologies | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-247-3 | Trans MOSFET N-CH 650V 77.5A 3-Pin(3 Tab) TO-247 | 对比 |
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