ON Semiconductor FCH041N60E

工厂交货时间

12 Weeks

底架

通孔

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-247-3

引脚数

2

质量

6.39g

晶体管元件材料

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

77A Tc

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Number of Elements

1

Power Dissipation (Max)

592W Tc

Turn Off Delay Time

320 ns

Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id

3.5V @ 250μA

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Tube

系列

SuperFET® II

已出版

2013

JESD-609代码

e3

无铅代码

yes

零件状态

ACTIVE (Last Updated: 5 days ago)

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Tin (Sn)

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

时间@峰值回流温度-最大值(s)

未说明

JESD-30代码

R-PSFM-T3

元素配置

Single

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

592W

接通延迟时间

50 ns

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

41m Ω @ 39A, 10V

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

13700pF @ 100V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

380nC @ 10V

上升时间

50ns

Vgs（最大值）

±20V

下降时间（典型值）

85 ns

连续放电电流(ID)

77A

栅极至源极电压(Vgs)

20V

漏源击穿电压

600V

高度

20.82mm

长度

15.87mm

宽度

4.82mm

达到SVHC

not_compliant

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

无铅