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首页 全部分类 FCP170N60 vs FCPF190N60-F152

FCP170N60备选型号: FCPF190N60-F152

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  • JESD-30代码
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  • 操作模式
  • 接通延迟时间
  • 场效应管类型
  • 晶体管应用
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
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  • 上升时间
  • Vgs（最大值）
  • 下降时间（典型值）
  • 连续放电电流(ID)
  • JEDEC-95代码
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 漏源击穿电压
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • 雪崩能量等级（Eas）
  • RoHS状态
  • 引脚数
  • 箱体转运
  • 辐射硬化
  • ON Semiconductor
    FCP170N60
    ON Semiconductor
    MOSFET HV SuperJunction MOS
    ACTIVE (Last Updated: 1 week ago)
    12 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-220-3
    1.8g
    SILICON
    22A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Tube
    SuperFET® II
    e3
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    EAR99
    170mOhm
    Tin (Sn)
    未说明
    未说明
    R-PSFM-T3
    1
    Single
    增强型MOSFET
    21 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    170m Ω @ 11A, 10V
    3.5V @ 250μA
    2860pF @ 380V
    55nC @ 10V
    12ns
    ±20V
    3.8 ns
    22A
    TO-220AB
    30V
    600V
    66A
    525 mJ
    ROHS3 Compliant
    -
    -
    -
  • ON Semiconductor
    FCPF190N60-F152
    ON Semiconductor
    MOSFET N-CH 600V 20.2A TO-220F
    ACTIVE (Last Updated: 1 week ago)
    14 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-220-3 Full Pack
    2.565008g
    SILICON
    20.2A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Tube
    SuperFET® II
    e3
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    -
    -
    Tin (Sn)
    -
    -
    -
    1
    Single
    增强型MOSFET
    20 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    199m Ω @ 10A, 10V
    3.5V @ 250μA
    2950pF @ 25V
    74nC @ 10V
    10ns
    ±20V
    5 ns
    20.2A
    TO-220AB
    30V
    600V
    60.6A
    400 mJ
    ROHS3 Compliant
    3
    ISOLATED
    无
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