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首页 全部分类 FCP650N80Z vs FDP12N60NZ

FCP650N80Z备选型号: FDP12N60NZ

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  • 已出版
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  • 操作模式
  • 功率耗散
  • 接通延迟时间
  • 晶体管应用
  • 上升时间
  • 下降时间（典型值）
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  • 漏源击穿电压
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  • 宽度
  • 长度
  • 高度
  • 辐射硬化
  • ON Semiconductor
    FCP650N80Z
    ON Semiconductor
    FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FCP650N80Z Power MOSFET, N Channel, 10 A, 800 V, 0.53 ohm, 10 V, 4.5 VNew
    ACTIVE (Last Updated: 2 days ago)
    14 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-220-3
    3
    1.8g
    10A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Tube
    SuperFET® II
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    EAR99
    8541.29.00.95
    未说明
    未说明
    Single
    N-Channel
    650m Ω @ 4A, 10V
    4.5V @ 800μA
    1565pF @ 100V
    35nC @ 10V
    800V
    ±20V
    10A
    4.5V
    无SVHC
    ROHS3 Compliant
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • ON Semiconductor
    FDP12N60NZ
    ON Semiconductor
    MOSFET 600V N-Chan MOSFET UniFET-II
    ACTIVE (Last Updated: 2 days ago)
    8 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-220-3
    3
    1.8g
    240W Tc
    -55°C~150°C TJ
    Tube
    UniFET-II™
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    EAR99
    -
    -
    -
    Single
    N-Channel
    650m Ω @ 6A, 10V
    5V @ 250μA
    1676pF @ 25V
    34nC @ 10V
    -
    ±30V
    12A
    3V
    无SVHC
    ROHS3 Compliant
    Tin
    SILICON
    2010
    e3
    3
    增强型MOSFET
    240W
    25 ns
    SWITCHING
    50ns
    60 ns
    TO-220AB
    30V
    0.65Ohm
    600V
    48A
    565 mJ
    4.83mm
    10.67mm
    16.51mm
    无
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