ON Semiconductor FCP850N80Z

工厂交货时间

12 Weeks

包装/外壳

TO-220-3

底架

通孔

安装类型

通孔

引脚数

3

质量

1.8g

Power Dissipation (Max)

136W Tc

Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id

4.5V @ 600μA

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

8A Tc

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

包装

Tube

系列

SuperFET® II

操作温度

-55°C~150°C TJ

JESD-609代码

e3

无铅代码

yes

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Tin (Sn)

HTS代码

8541.29.00.95

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

时间@峰值回流温度-最大值(s)

未说明

元素配置

Single

场效应管类型

N-Channel

Rds On(Max)@Id,Vgs

850m Ω @ 3A, 10V

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

1315pF @ 100V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

29nC @ 10V

漏源电压 (Vdss)

800V

Vgs（最大值）

±20V

连续放电电流(ID)

8A

阈值电压

4.5V

达到SVHC

无SVHC

RoHS状态

ROHS3 Compliant