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首页 全部分类 FCPF16N60 vs FCPF20N60T

FCPF16N60备选型号: FCPF20N60T

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  • 功率耗散
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  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
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  • 上升时间
  • Vgs（最大值）
  • 下降时间（典型值）
  • 连续放电电流(ID)
  • JEDEC-95代码
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 漏源击穿电压
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 已出版
  • 电压 - 额定直流
  • 额定电流
  • 雪崩能量等级（Eas）
  • ON Semiconductor
    FCPF16N60
    ON Semiconductor
    MOSFET N-CH 600V 16A TO-220F
    ACTIVE, NOT REC (Last Updated: 3 days ago)
    43 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-220-3 Full Pack
    3
    2.27g
    SILICON
    16A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Tube
    SuperFET™
    e3
    yes
    不用于新设计
    1 (Unlimited)
    3
    EAR99
    260MOhm
    Tin (Sn)
    Single
    增强型MOSFET
    37.9W
    ISOLATED
    42 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    260m Ω @ 8A, 10V
    5V @ 250μA
    2250pF @ 25V
    70nC @ 10V
    130ns
    ±30V
    90 ns
    16A
    TO-220AB
    30V
    600V
    48A
    9.4mm
    10.1mm
    4.7mm
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
  • ON Semiconductor
    FCPF20N60T
    ON Semiconductor
    MOSFET N-CH 600V 20A TO-220F
    ACTIVE, NOT REC (Last Updated: 1 week ago)
    -
    通孔
    通孔
    TO-220-3 Full Pack
    3
    2.27g
    SILICON
    20A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Tube
    SuperFET™
    e3
    yes
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    3
    EAR99
    -
    Tin (Sn)
    Single
    增强型MOSFET
    39W
    ISOLATED
    62 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    190m Ω @ 10A, 10V
    5V @ 250μA
    3080pF @ 25V
    98nC @ 10V
    140ns
    ±30V
    65 ns
    20A
    TO-220AB
    30V
    600V
    60A
    -
    -
    -
    无
    符合RoHS标准
    无铅
    2013
    600V
    20A
    690 mJ
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