FCPF20N60备选型号: FQA24N60
- 隐藏公共属性
- 型号:
- 品牌:
- 描述:
- 工厂交货时间
- 包装/外壳
- 安装类型
- 底架
- 触点镀层
- 引脚数
- 质量
- 晶体管元件材料
- Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id
- 系列
- 包装
- 操作温度
- JESD-609代码
- 无铅代码
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- ECCN 代码
- 电阻
- 电压 - 额定直流
- 额定电流
- 元素配置
- 操作模式
- 功率耗散
- 箱体转运
- 接通延迟时间
- 场效应管类型
- 晶体管应用
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 上升时间
- Vgs(最大值)
- 下降时间(典型值)
- 连续放电电流(ID)
- 阈值电压
- JEDEC-95代码
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 漏源击穿电压
- 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
- 雪崩能量等级(Eas)
- 宽度
- 长度
- 高度
- RoHS状态
- 辐射硬化
- 达到SVHC
- 无铅
- 已出版
- 端子表面处理
- 峰值回流焊温度(摄氏度)
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- 资历状况
- 漏极-源极导通最大电阻
- MOSFET N-CH 600V 20A TO220F13 WeeksTO-220-3 Full Pack通孔通孔Tin32.27gSILICON5V @ 250μA230 nsSuperFET™Tube-55°C~150°C TJe3yes不用于新设计1 (Unlimited)3EAR99190MOhm600V20ASingle增强型MOSFET39WISOLATED62 nsN-ChannelSWITCHING190m Ω @ 10A, 10V3080pF @ 25V98nC @ 10V140ns±30V65 ns20A5VTO-220AB30V600V60A690 mJ4.7mm10.16mm9.19mmROHS3 Compliant无无SVHC无铅------
- Transistor: unipolar, N-MOSFET; 600V; 23.5A; 310W; TO3P9 WeeksTO-3P-3, SC-65-3通孔通孔-36.401gSILICON5V @ 250μA23.5A TcQFET®Tube-55°C~150°C TJe3yesACTIVE (Last Updated: 6 days ago)1 (Unlimited)3EAR99-600V23.5ASingle增强型MOSFET310W-90 nsN-ChannelSWITCHING240m Ω @ 11.8A, 10V5500pF @ 25V145nC @ 10V270ns±30V170 ns23.5A5V-30V600V94A-5mm15.8mm18.9mmROHS3 Compliant-无SVHC无铅2000Tin (Sn)未说明未说明不合格0.24Ohm
- 添加型号
| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | FQA24N60 | ON Semiconductor | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | TO-3P-3, SC-65-3 | Transistor: unipolar, N-MOSFET; 600V; 23.5A; 310W; TO3P | 对比 |
![]() | STF25NM60ND | STMicroelectronics | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | TO-220-3 Full Pack | STMICROELECTRONICS STF25NM60ND Power MOSFET, N Channel, 21 A, 600 V, 0.13 ohm, 10 V, 4 V | 对比 |
| FDPF15N65 | ON Semiconductor | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | TO-220-3 Full Pack | MOSFET N-CH 650V 15A TO-220F | 对比 |




哦! 它是空的。