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FCPF7N60备选型号: STF10NM60ND
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- 电压 - 额定直流
- 峰值回流焊温度（摄氏度）
- Reach合规守则
- 额定电流
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- 资历状况
- 元素配置
- 操作模式
- 功率耗散
- 箱体转运
- 接通延迟时间
- 场效应管类型
- 晶体管应用
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 上升时间
- Vgs（最大值）
- 下降时间（典型值）
- 连续放电电流(ID)
- 阈值电压
- JEDEC-95代码
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 最大漏极电流 (Abs) (ID)
- 漏源击穿电压
- 高度
- 长度
- 宽度
- 达到SVHC
- RoHS状态
- 无铅
- 基本部件号
- 引脚数量
- 漏源电压 (Vdss)
- 辐射硬化
MOSFET 600V N-Channel SuperFETACTIVE (Last Updated: 3 days ago)12 Weeks通孔通孔TO-220-3 Full Pack32.27gSILICON7A Tc-55°C~150°C TJTubeSuperFET™2008e3yes活跃1 (Unlimited)3EAR99600MOhmTin (Sn)600V未说明not_compliant7A未说明不合格Single增强型MOSFET31WISOLATED35 nsN-ChannelSWITCHING600m Ω @ 3.5A, 10V5V @ 250μA920pF @ 25V30nC @ 10V55ns±30V32 ns7A5VTO-220AB30V7A600V9.19mm10.16mm4.7mm无SVHCROHS3 Compliant无铅----
MOSFET N-CH 600V 8A TO-220FP-16 Weeks通孔通孔TO-220-3 Full Pack3-SILICON8A Tc-55°C~150°C TJTubeFDmesh™ II-e3-活跃1 (Unlimited)3EAR99550MOhmMatte Tin (Sn) - annealed------Single增强型MOSFET25WISOLATED9.2 nsN-ChannelSWITCHING550m Ω @ 4A, 10V4V @ 250μA540pF @ 50V19nC @ 10V10ns±25V9.8 ns8A4VTO-220AB25V8A650V16.4mm10.4mm4.6mm无SVHCROHS3 Compliant无铅STF10N3600V无- 添加型号
| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
 | STP9NK60ZFP | STMicroelectronics | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-220-3 Full Pack | MOSFET N-CH 600V 7A TO-220FP | 对比 |
| FDPF8N60ZUT | ON Semiconductor | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-220-3 Full Pack | MOSFET N-CH 600V TO-220F-3 | 对比 |
| STF10NM60ND | STMicroelectronics | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-220-3 Full Pack | MOSFET N-CH 600V 8A TO-220FP | 对比 |
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