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首页 全部分类 FD1000R17IE4BOSA2 vs DF1000R17IE4BOSA1

FD1000R17IE4BOSA2备选型号: DF1000R17IE4BOSA1

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  • 终端形式
  • 峰值回流焊温度（摄氏度）
  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • 引脚数量
  • 资历状况
  • 配置
  • 箱体转运
  • 功率 - 最大
  • 晶体管应用
  • 无卤素
  • 极性/通道类型
  • 输入
  • 集电极发射器电压(VCEO)
  • 最大集电极电流
  • 最大集极截止电流
  • 电压 - 集射极击穿（最大值）
  • 接通时间
  • 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）
  • 关断时间-标准值（toff)
  • NTC热敏电阻
  • 输入电容(Cies)@Vce
  • 达到SVHC
  • RoHS状态
  • 无铅
  • Infineon Technologies
    FD1000R17IE4BOSA2
    Infineon Technologies
    IGBT MODULE VCES 1700V 1000A
    50 Weeks
    Screw
    底座安装
    Module
    12
    SILICON
    1.7kV
    -40°C~150°C
    2002
    no
    活跃
    1 (Unlimited)
    12
    EAR99
    6.25kW
    UPPER
    UNSPECIFIED
    未说明
    未说明
    12
    不合格
    Single
    ISOLATED
    6250W
    电源控制
    不含卤素
    N-CHANNEL
    Standard
    1.7kV
    1.39kA
    5mA
    1700V
    720 ns
    2.45V @ 15V, 1000A
    1890 ns
    有
    81nF @ 25V
    无SVHC
    符合RoHS标准
    含铅
  • Infineon Technologies
    DF1000R17IE4BOSA1
    Infineon Technologies
    IGBT MODULE 1700V 6250W
    50 Weeks
    Screw
    底座安装
    Module
    12
    SILICON
    1.7kV
    -40°C~150°C
    -
    no
    活跃
    1 (Unlimited)
    12
    EAR99
    6.25kW
    UPPER
    UNSPECIFIED
    未说明
    未说明
    12
    不合格
    Single
    ISOLATED
    6250W
    电源控制
    不含卤素
    N-CHANNEL
    Standard
    1.7kV
    1.39kA
    5mA
    1700V
    720 ns
    2.45V @ 15V, 1000A
    1890 ns
    有
    81nF @ 25V
    无SVHC
    符合RoHS标准
    含铅
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