FD6M033N06备选型号: FD6M043N08
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- 包装
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- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 最高工作温度
- 最小工作温度
- 场效应管类型
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 漏源电压 (Vdss)
- 连续放电电流(ID)
- 输入电容
- 场效应管特性
- 最大rds
- RoHS状态
- MOSFET 2N-CH 60V 73A EPM15通孔通孔EPM1515EPM1573A-40°C~150°C TJTubePower-SPM™Obsolete1 (Unlimited)150°C-40°C2 N-Channel (Dual)3.3mOhm @ 40A, 10V4V @ 250μA6010pF @ 25V129nC @ 10V60V73A6.01nFStandard3.3 mΩ符合RoHS标准
- MOSFET 2N-CH 75V 65A EPM15-通孔EPM15-EPM1565A-40°C~150°C TJTubePower-SPM™Obsolete1 (Unlimited)--2 N-Channel (Dual)4.3mOhm @ 40A, 10V4V @ 250μA6180pF @ 25V148nC @ 10V75V--Standard--
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | FD6M043N08 | ON Semiconductor | 晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 | EPM15 | MOSFET 2N-CH 75V 65A EPM15 | 对比 |
| NGTG12N60TF1G | ON Semiconductor | 晶体管 - IGBT - 单个 | Module | ON SEMICONDUCTOR NGTG12N60TF1GIGBT Single Transistor, 24 A, 1.4 V, 54 W, 600 V, TO-3PF, 3 Pins | 对比 | |
![]() | IRFBA1404PPBF | Infineon Technologies | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | TO-273AA | MOSFET N-CH 40V 206A SUPER-220 | 对比 |




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